南科大在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展
近日，南方科技大學電子與電氣工程系助理教授馬俊與瑞士洛桑聯邦理工大學教授Elison Matioli、蘇州晶湛半導體有限公司董事長程凱等團隊合作，在Nature Electronics發表了題目為“Multi-channel nanowire devices for efficient power conversion”的研究論文，報道了基于多溝道技術和寬禁帶半導體氮化鎵（GaN）的新型納米電力電子器件。該技術是電力電子領域和寬禁帶半導體領域的重大進步，有望顯著提升能量轉換效率。圖1. 多溝道器件的結構示意圖和SEM圖像。圖2 多溝道對器件擊穿電壓的影響及斜向三維柵帶來的擊穿電壓提升。圖3新器件性能與現有技術的比較，顯示了極大的性能提升。 半導體電力電子器件是電能轉換的核心元件，其擊穿電壓和導通電阻分別決定了電能轉換的功率等級和能量效率。傳統電力電子器件的導通電阻越大，導致較高的損耗和碳排放。 該研究基于原創性的多溝道斜向三......閱讀全文
南科大在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展
近日，南方科技大學電子與電氣工程系助理教授馬俊與瑞士洛桑聯邦理工大學教授Elison Matioli、蘇州晶湛半導體有限公司董事長程凱等團隊合作，在Nature Electronics發表了題目為“Multi-channel nanowire devices for efficient power
蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領域取得進展
近年來，大數據、互聯網和人工智能的快速發展，對數據處理的速度和效率提出了更高的要求。人類大腦是最復雜的計算系統之一，可以通過密集協調的突觸和神經元網絡同時存儲、整合和處理大量的數據信息，兼具高速和低功耗的優勢。受人腦的啟發，人工突觸器件應運而生。人工突觸器件因具有同時處理和記憶數據的能力而備受關
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
中國科大在幾何分析領域取得進展
近日，中國科學技術大學幾何與物理中心教授王兵與數學科學學院副教授李皓昭合作的論文“The extension problem of the mean curvature flow(I)”被國際數學期刊Inventiones Mathematicae 接受并在線發表。 平均曲率流是當前幾何分析
氧化鎵功率電子器件領域新進展，入選ISPSD
近日，中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導體器件和集成電路國際會議（ISPSD，全稱為：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半導體器件和集成電路領域國際頂級
我國學者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展
圖 非晶氧化鎵的密度、組分比及結構描述器SSF與熱導率之間的關系 在國家自然科學基金項目（批準號：51825601、U20A20301）資助下，清華大學曹炳陽教授團隊及合作者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展。研究成果以“結合機器學習與實驗揭示非晶氧化鎵原子結構與熱輸運性質的相關性（Unraveling
美國研發人員在石墨烯電子器件領域取得進展
美國北卡羅來納州立大學的研究人員開發了一種將帶正電荷（p型）的還原氧化石墨烯（rGO）轉化為帶負電荷（n型）還原氧化石墨烯的技術，該技術可用于開發基于還原氧化石墨烯的晶體管，有望在電子設備中得到應用。 石墨烯的導電性非常好但不是半導體，氧化石墨烯像半導體具有帶隙卻導電性差，而還原氧化石墨烯只
微電子所在氮化鎵界面態研究方面取得進展
近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心研究員劉新宇團隊等在GaN界面態研究領域取得進展，在LPCVD-SiNx/GaN界面獲得原子級平整界面和國際先進水平的界面態特性，提出了適用于較寬能量范圍的界面態U型分布函數，實現了離散能級與界面態的分離。 增強型氮化鎵MIS-HEMT是目前尚未成功商用
中國科大在計算幾何研究領域取得系列進展
近日，中國科學技術大學國家數學與交叉科學中心（合肥）在3D重建、3D打印、計算幾何等領域取得了一系列研究進展。相關研究成果分別以三篇論文發表在2014年第6期的ACM Transactions on Graphics上，并在國際學術會議Siggraph Asia上宣讀。 在第一篇論文中，研究人
中國科大在復微分幾何領域取得重要進展
近日，中國科學技術大學幾何與物理研究中心特任教授陳杲完成的論文《J方程和超臨界厄米特-楊振寧-米爾斯方程的變形》（The J-equation and the supercritical deformed Hermitian-Yang-Mills equation），在世界知名數學期刊《數學新進展》
中國科大在單分子磁體領域取得重要進展
近日，中國科學技術大學楊上峰教授團隊在單分子磁體領域取得重要進展，合成了首例含有鏑-鏑(Dy-Dy)共價鍵的雙金屬富勒烯，獲得了具有強反鐵磁耦合的高性能單分子磁體，其阻塞溫度為目前報道的所有通過4f電子直接耦合的多核單分子磁體中的最高值。相關研究成果以“Short Didysprosium Cova
中國科大在蛋白質設計領域取得進展
近日，中國科學技術大學生命科學學院劉海燕教授、陳泉副教授研究組在蛋白質結構功能設計研究領域取得新進展，研究成果發表在10月27日出版的Nature Communications上。 蛋白質氨基酸序列和空間結構之間的關系是科學界懸而未決的課題。國際上蛋白質設計領域有實驗驗證的自動設計方法只有寥寥
微電子所等研制出國際先進的氮化鎵增強型MISHEMT器件
近日，中國科學院微電子研究所氮化鎵（GaN）功率電子器件研究團隊與香港科技大學教授陳敬團隊，西安電子科技大學教授、中科院院士郝躍團隊合作，在GaN增強型MIS-HEMT器件研制方面取得新進展，成功研制出具有國際先進水平的高頻增強型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半導體材料氮化鎵具有高禁帶
氮化鎵功率芯片的應用領域
1）手機充電器。主要有2 個原因，①手機電池容量越來越大，從以前的可能2 000 mA·H 左右，到現在已經到5 000 mA·H。GaN 可以減少充電時間，占位體積變小。②手機及相關電子設備使用越來越多，有USB-A 口、USB-C 口，多頭充電器市場很大，這也是GaN 擅長的領域。2）電源適配器
中國科大在可編輯人工光合細胞領域取得進展
與自然界的光合生物相比，可編輯的人工光合細胞能夠通過理性設計，將CO2更高效地轉化為可定制的高附加值燃料和化學品。此外，人工光合細胞是最終模擬天然光合生物組織形態和特征的關鍵，為構建實際應用的器件開辟了道路。然而，這一概念的實現關鍵在于對CO2還原酶催化具有關鍵作用的輔因子，但受多種輔因子再生能
中國科大等在固態量子光學領域取得進展
中國科學技術大學潘建偉、陸朝陽等和德國維爾茲堡大學、英國劍橋大學相關小組合作，在國際上首創雙色脈沖相干激發理論，為光和原子的相互作用等基礎量子光學問題的研究打開了一個新思路，解決了共振熒光長期存在的激光本底噪聲問題。進一步，研究組通過該方法在微腔耦合的半導體量子點體系上實驗實現了無激光背景的高效
中國科大在紅外人工光合成領域取得進展
通過人造材料，進行與自然界光合作用相似的化學反應，利用陽光、二氧化碳和水生成人類所需物質，是長期以來的夢想。然而，這種人工光合成體系進行應用嘗試時，面臨挑戰，關鍵在于如何利用太陽光中低能量的光子。紅外光是太陽光譜中典型的低能光子，在太陽光譜中占比達53%。通常的半導體光催化技術只能利用紫外區和可
中國科大在分子手性和室溫磷光領域取得進展
近日，中國科學技術大學教授張國慶團隊在分子手性和室溫磷光領域取得重要進展。通過構建全手性的摻雜室溫磷光體系，他們發現并命名手性選擇室溫磷光增強(Chiral-Selective Room-Temperature Phosphorescence Enhancement，CPE)這一普適性現象，揭示
中國科大在醫學電阻抗成像領域取得系列進展
中國科學院院士、中國科學技術大學教授杜江峰領導的中科院微觀磁共振重點實驗室在無損醫學電阻抗成像領域取得一系列進展。該團隊基于自主研發的圖像重構框架成功實現了無損醫學電阻抗圖像在多個不同成像方式下的高分辨重建。相關成果發表在近期的IEEE Transactions 系列期刊上，包括2篇IEEE T
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）被大會接收。 IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日報合肥12月12日電 （記者吳長鋒）12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學
中國科大在超冷分子量子調控領域取得進展
中國科學技術大學潘建偉、趙博等在超冷分子量子調控研究中取得新進展。在該研究中，他們在制備振動轉動基態的分子過程中，觀測到共振受激拉曼絕熱通道和失諧受激拉曼絕熱通道之間的干涉，向基于超冷原子分子的量子模擬邁進了重要一步。近日，這一研究成果以編輯推薦的形式發表在國際學術期刊《物理評論快報》上。 超
中國科大在光信息存儲研究領域取得新進展
近日，中國科學技術大學光子學聚合物實驗室與光電信息技術實驗室合作，利用偶氮苯聚合物的光響應性，實現了偏振多階及高密度光信息存儲。該研究成果發表在5月26日出版的英國皇家化學會J. Mater. Chem.期刊上。 偶氮苯聚合物作為光學各向異性材料及衍射元件
中國科大研究人員在幾何分析領域取得重要進展
近日，中國科大幾何與物理中心王兵教授與數學科學學院李皓昭副教授合作的論文 The extension problem of the mean curvature flow(I)被世界頂級數學期刊Inventiones Mathematicae接受并在線發表。該雜志是國際數學界最權威的期刊之一，與
中國科大在拓撲驅動膠體糾纏研究領域取得重要進展
2016年，關于拓撲相變和拓撲相的理論研究工作被授予諾貝爾物理獎。因此，將數學中拓撲的概念引入至凝聚態物理系統中產生了各種新奇的物理現象。其中，拓撲糾纏是理解固體系統中拓撲序的關鍵。而在軟物質凝聚態系統，特別是液晶體系中，拓撲糾纏則以具有三維拓撲結構的向錯線纏繞膠體顆粒的形式存在。驅動非平衡態拓撲糾
中國科大在拓撲驅動膠體糾纏研究領域取得重要進展
2016年，關于拓撲相變和拓撲相的理論研究工作被授予諾貝爾物理獎。因此，將數學中拓撲的概念引入至凝聚態物理系統中產生了各種新奇的物理現象。其中，拓撲糾纏是理解固體系統中拓撲序的關鍵。而在軟物質凝聚態系統，特別是液晶體系中，拓撲糾纏則以具有三維拓撲結構的向錯線纏繞膠體顆粒的形式存在。驅動非平衡態拓撲糾
電子器件的光伏逆變器研制及示范應用項目通過驗收
?? 近日，科技部高新司在廈門組織召開了“十二五”國家863計劃“基于國產寬禁帶電力電子器件的光伏逆變器研制及示范應用”項目驗收會。?? 項目以實現碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三極管設計技術、碳化硅二級管及MOSFET
蘇州納米所徐科研究員獲“求是杰出青年成果轉化獎”
日前，第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”揭曉。 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員等5人因其既注科學研究、又積極推動科研成果轉化為現實生產力、取得了明顯的經濟效益和社會效益、在廣大青年科技工作者中起到了良好的榜樣作用獲得了第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”。
南科大：電子皮膚溫覺仿生領域獲新進展
南方科技大學材料科學與工程系教授劉瑋書課題組在電子皮膚的溫覺仿生方面取得研究新進展，相關成果發表在《納米能源》上。 相關研究成果展示電子皮膚作為人體皮膚的對應物，通過在柔性基底上集成各種功能元素，可以模擬人體皮膚的各種功能，是未來智能機器人的理想組件。目前，電子皮膚已經實現了類人體的觸覺功能，
中國科大等在新型碳基晶體研究方面取得重要進展
1月12日，中國科學技術大學化學與材料科學學院材料科學與工程系、合肥微尺度物質科學國家研究中心朱彥武團隊在《自然》雜志上發表研究論文，報道了在常壓條件下通過化學電荷注入技術，將富勒烯C60分子晶體轉變為聚合物晶體和長程有序多孔碳（LOPC）晶體的相關進展。LOPC晶體是由C60分子之間通過共價鍵