我國科學家研發全球首顆二維硅基混合架構閃存芯片

大數據與人工智能時代對數據存取性能提出極致要求，而目前速度最快的存儲器為易失性存儲器，速度為1-30納秒，斷電后數據會丟失。傳統閃存不會輕易丟失數據，但工作效率落后于芯片算力10萬倍以上。記者從復旦大學獲悉，該校集成芯片與系統全國重點實驗室、集成電路與微納電子創新學院周鵬-劉春森團隊率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片，解決了存儲速率上的技術難題。相關研究成果于10月8日發表在學術期刊《自然》上。

這是復旦大學繼“破曉（PoX）”皮秒閃存器件問世后，在二維電子器件工程化道路上再獲里程碑式突破。今年4月，周鵬-劉春森團隊于《自然》期刊提出“破曉”二維閃存原型器件，實現了400皮秒超高速非易失存儲，這是迄今最快的半導體電荷存儲技術，為打破算力發展困境提供了底層原理支撐。研究團隊認為，若要加快新技術孵化，就要將二維超快閃存器件充分融入互補金屬氧化物半導體（CMOS）傳統半導體生產線。

大數據與人工智能時代對數據存取性能提出極致要求，而目前速度最快的存儲器為易失性存儲器，速度為1-30納秒，斷電后數據會丟失。傳統閃存不會輕易丟失數據，但工作效率落后于芯片算力10萬倍以上。記者從復旦大學獲悉，該校集成芯片與系統全國重點實驗室、集成電路與微納電子創新學院周鵬-劉春森團隊率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片，解決了存儲速率上的技術難題。相關研究成果于10月8日發表在學術期刊《自然》上。

這是復旦大學繼“破曉（PoX）”皮秒閃存器件問世后，在二維電子器件工程化道路上再獲里程碑式突破。今年4月，周鵬-劉春森團隊于《自然》期刊提出“破曉”二維閃存原型器件，實現了400皮秒超高速非易失存儲，這是迄今最快的半導體電荷存儲技術，為打破算力發展困境提供了底層原理支撐。研究團隊認為，若要加快新技術孵化，就要將二維超快閃存器件充分融入互補金屬氧化物半導體（CMOS）傳統半導體生產線。