三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到足夠的電場牽引，最終導致碰觸極桿或者飛出電場而無法通過質量選擇器。......閱讀全文
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到足夠的電
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000?V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
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三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
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三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
質譜中的三重四級桿原理
三重四極桿是質量分析器的一種。由三個依次串聯的四極桿組成，其中第一個四極桿(Q1)和第三個四極桿(Q3)用作質量過濾器，第二個四極桿(Q2)用作離子碰撞室。具有質量掃描功能和串聯質譜功能。 物質氣化后以分子狀態進入質譜儀后,經過燈絲發射的電子轟擊后,成各種不同的碎片,有的是只掉了一個H,有的是
三重四級桿質譜是如何定量的？
三重四級桿質譜是如何定量的？三重四級桿通過離子打碎獲得特異性子離子，子離子在通過Q3后時在接收器上轉化為電信號，反映到分析軟件就是離子強度圖。在一定線性范圍下，分析物濃度越高，打到接收器上的離子就越多，信號越強，這是定量的基礎。此外在定量時可以選擇用峰高或峰面積定量，一般選用峰面積定量準確。因為是定
三重四極桿質譜原理
三重四極桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四極桿質譜原理
三重四極桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
質譜儀三重四級桿質譜是如何定量的？
三重四級桿質譜是如何定量的？三重四級桿通過離子打碎獲得特異性子離子，子離子在通過Q3后時在接收器上轉化為電信號，反映到分析軟件就是離子強度圖。在一定線性范圍下，分析物濃度越高，打到接收器上的離子就越多，信號越強，這是定量的基礎。此外在定量時可以選擇用峰高或峰面積定量，一般選用峰面積定量準確。因為是定
質譜儀三重四級桿質譜是如何定量的？
三重四級桿質譜是如何定量的？三重四級桿通過離子打碎獲得特異性子離子，子離子在通過Q3后時在接收器上轉化為電信號，反映到分析軟件就是離子強度圖。在一定線性范圍下，分析物濃度越高，打到接收器上的離子就越多，信號越強，這是定量的基礎。此外在定量時可以選擇用峰高或峰面積定量，一般選用峰面積定量準確。因為是定
三重四級桿質譜儀原理
物質氣化后以分子狀態進入質譜儀，經過燈絲發射的電子轟擊后，形成各種不同碎片，有的失去氫，有的失去一個基團，有的成為更小的碎片，碎片進入四極桿后，四極桿通過不同電的方向變換。碎片通過四極桿時，由于碎片質量和所帶電核不同，其會隨四極桿電方向變換而改變前進方向，帶電碎片到達終點的時間不同，其方向變換也
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器。離子阱重定性，可得到多級碎片，從而推導結構，常用于未知化合物結構推導，全掃描靈敏度很高，可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量，全掃描靈敏度低大約10到100個數量級，但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量，常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定。
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器.離子阱重定性,可得到多級碎片,從而推導結構,常用于未知化合物結構推導,全掃描靈敏度很高,可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量,全掃描靈敏度低大約10到100個數量級,但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量,常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定.
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
質量分析器不同,依次是四級桿,離子阱和飛行管道,但TOF一般和四級桿聯用Q-TOF,三重四級桿飛行時間質譜儀.
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器.離子阱重定性,可得到多級碎片,從而推導結構,常用于未知化合物結構推導,全掃描靈敏度很高,可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量,全掃描靈敏度低大約10到100個數量級,但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量,常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定.
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器。離子阱重定性，可得到多級碎片，從而推導結構，常用于未知化合物結構推導，全掃描靈敏度很高，可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量，全掃描靈敏度低大約10到100個數量級，但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量，常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定。
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器.離子阱重定性,可得到多級碎片,從而推導結構,常用于未知化合物結構推導,全掃描靈敏度很高,可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量,全掃描靈敏度低大約10到100個數量級,但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量,常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定.
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器。離子阱重定性，可得到多級碎片，從而推導結構，常用于未知化合物結構推導，全掃描靈敏度很高，可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量，全掃描靈敏度低大約10到100個數量級，但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量，常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定。
三重四級桿質譜，離子阱和Tof的區別
離子阱與四級桿是不同的質量分析器.離子阱重定性,可得到多級碎片,從而推導結構,常用于未知化合物結構推導,全掃描靈敏度很高,可超過TOF.四級桿或三重四級桿重定量,全掃描靈敏度低大約10到100個數量級,但是在選擇離子掃描模式下靈敏度很高從而用于已知化合物定量,常用于農殘、獸殘、血藥濃度測定.
質譜儀三重四級桿
三重四級桿也叫做QQQ質譜。第一個四級桿根據設定的質合比范圍掃描和選擇所需的離子。第二個四級桿，也稱碰撞池，用于聚集和傳送離子。在選擇離子飛行的途中，引入碰撞氣體氮氣。第三個四級桿用于分析在碰撞池中產生的碎片離子。簡單的說：Q1可以篩選母離子mz1;Q2通過碰撞碎裂打碎離子，形成碎片離子峰;Q3篩選
單四級桿與三重四級桿有何不同？
單四級桿與三重四級桿有何不同？三重的可以做MS-MS,如果只從聚焦來講三重其實是個雙四級桿,而單的不能做MSMS.沒有只有雙四級桿的儀器,至少現在還沒有.單四級桿也可以實驗MSMS，可以通過源內CID實現。單四極桿碎片較少，定性信息不如三重四極桿。三重四極桿，實際上起碎片作用的是兩重，中間那個是起碰