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    射頻開關:SPDT、級聯、樹形和矩陣開關(二)

    三、射頻開關選擇和設計注意事項 在選擇射頻開關系統時,要考慮一些關鍵電氣規范包括串擾(路徑隔離)、插入損耗、電壓駐波比(VSWR)和帶寬。在設計射頻開關系統時,可能影響開關系統性能的其他因素包括阻抗匹配、端接、功率傳輸、信號濾波器、相位畸變和布線。開關的使用不可避免地會降低測量系統的性能,因此重要的是要考慮幾個可能顯著影響系統性能的關鍵參數。在設計階段,成本和收益經常相互權衡,以獲得最佳解決方案。 3.1 串擾 串擾是測量高頻信號從一個通道泄漏到另一個通道。它是通道間雜散電容、互感和漏電電阻的結果,通常在特定頻率下以分貝表示。 圖6顯示了串擾的一個例子。在本例中,10V交流信號源(v1)通過開關卡的通道1連接到負載電阻(r)。交流電壓表(V2)通過通道2連接到第二信號源。 通道1和通道2之間的阻抗(Z)引起的串擾以......閱讀全文

    射頻開關:SPDT、級聯、樹形和矩陣開關-(二)

    三、射頻開關選擇和設計注意事項 ? 在選擇射頻開關系統時,要考慮一些關鍵電氣規范包括串擾(路徑隔離)、插入損耗、電壓駐波比(VSWR)和帶寬。在設計射頻開關系統時,可能影響開關系統性能的其他因素包括阻抗匹配、端接、功率傳輸、信號濾波器、相位畸變和布線。開關的使用不可避免地會降低測量系統

    射頻開關:SPDT、級聯、樹形和矩陣開關-(三)

    3.3 插入損耗 ? 插入損耗是由于信號通路中的開關而導致的信號量減小的度量。插入損耗以分貝為單位,通常以50 ohm電源和50 ohm負載,并以特定頻率給出。 ? 圖7是將輸出阻抗(ZS)為50 ohm的電壓源(VS)連接到輸入阻抗(ZL)為50 ohm的電壓表的射頻開關卡的

    射頻開關:SPDT、級聯、樹形和矩陣開關-(一)

    一、射頻和微波開關 ? 鑒于通信行業的爆炸性增長,從射頻集成電路(RFIC)和微波單片集成電路(MMIC)等有源元件到完整的通信系統的各種組件需要大量測試。雖然這些部件的測試要求和程序差別很大,但所有部件都是在非常高的頻率下進行測試的,通常在吉赫茲范圍內。測試系統的主要部件可能包括直流

    射頻開關基礎知識(二)

    使用PIN二極管電路的開關產品具有更高的功率處理能力,而FET類型的開關產品通常具有更快的開關速度。當然,由于固態開關不包含活動部件,因此其使用壽命是無限的。此外,固態開關的隔離度較高(60~>80dB),開關速度極快(

    開關矩陣Keysight-B2201A共享

    儀器名稱:開關矩陣-Keysight B2201A儀器編號:20021537產地:馬來西亞生產廠家:Keysight型號:B2201A出廠日期:購置日期:2020-11-19所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>高精尖放置地點:固定電話:固定手機:固定email:聯系人:高旭(010-6279955

    射頻開關基礎知識(一)

    射頻和微波開關可在傳輸路徑內高效發送信號。此類開關的功能可由四個基本電氣參數加以表征。雖然多個參數與射頻和微波開關的性能相關,然而以下四個由于其相互間較強的相關性而被視為至關重要的參數:隔離度,插入損耗,開關時間,功率處理能力。隔離度即電路輸入端和輸出端之間的衰減度,是衡量開關截止有效性的指標。插入

    構成矩陣開關組件/系統的幾種類型

      開關矩陣設計原則是按功能進行的模塊化劃分和配置,同時與自動測試系統信號端口的定義相對應,這樣有利于接口的擴展和形成模塊化測試系統結構。在實際開關系統設計中往往采用多種開關拓撲結構組成混合開關系統,將具有模塊化的各種開關資源靈活配置和級聯,形成滿足測試需要的高效結構。  構成開關組件/系統的開關類

    低泄漏開關矩陣Keysight-B2201A共享

    儀器名稱:低泄漏開關矩陣-Keysight B2201A儀器編號:19025458產地:馬來西亞生產廠家:Keysight型號:Keysight B2201A出廠日期:購置日期:2019-12-05所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>高精尖放置地點:高精尖中心一層實驗室固定電話:固定手機:1391

    射頻導納料位開關的安裝

    一、安裝的方向(1)水平安裝為了確保測量的準確性,可以將射頻導納料位開關水平安裝。如果測量誤差允許在幾公分范圍內,建議將設備向下傾斜約20°后安裝,可以避免由于物料在探頭上的堆積而造成的測量誤差(注:纜繩型射頻導納物位開關禁止水平安裝)。對于一些特殊應用場合的安裝,還需要增加防護擋板,儀表才能更可靠

    射頻導納物位開關的性能如何?

       射頻導納物位開關即射頻導納物位計,射頻導納物位計的電位器為靈敏度調節電位器,LED雙色顯示燈在無料狀態綠燈亮,有料狀態紅燈亮。    射頻導納物位開關通電后,在物位低于設定值時綠燈亮,此時順時針緩慢調節電位器至剛好紅燈亮;    然后反時針調3圈(對非導電物料0.5~3圈,導電物料5~7圈

    PRINCO美國普菱柯射頻導納料位開關的特點和工作原理

      PRINCO美國普菱柯射頻導納料位開關的特點和工作原理   射頻導納料位開關,即射頻導納物位計,也常稱作是射頻導納開關。   PRINCO美國普菱柯射頻導納料位開關,它的測量原理是:射頻導納是一種從電容式發展起來的、防掛料、更可靠、更準確、適用性更廣的新型物位控制技術,是電容式物位技術的升級

    溫度開關使用及開關檢測

    ? 溫度開關是一種用雙金屬片作為感溫元件的溫度開關,電器正常工作時,雙金屬片處于自由狀態,觸點處于閉合/斷開狀態,當溫度升高至動作溫度值時,雙金屬元件受熱產生內應力而迅速動作,打開/閉合觸點,切斷/接通電路,從而起到熱保護作用。當溫度降到標定溫度時觸點自動閉合/斷開,恢復正常工作狀態。  它具有體積

    空氣開關的3大特性(二)

    空氣開關的3大特性

    開關基因的定義和功能

    中文名稱開關基因英文名稱switch gene定  義控制個體發育途徑及起始和終止的基因。引起總發育體系在可選擇的相關的細胞途徑中進行轉換。開關基因的產物控制具有正常功能的發育,某些情況下也可造成致癌性的轉化。應用學科生物化學與分子生物學(一級學科),核酸與基因(二級學科)

    三極管開關原理與場效應管的開關原理(二)

    結型場效應管(N溝道JFET)工作原理:可將N溝道JFET看作帶“人工智能開關”的水龍頭。這就有三部分:進水、人工智能開關、出水,可以分別看成是JFET的 d極 、g 極、s極。“人工”體現了開關的“控制”作用即vGS。JFET工作時,在柵極與源極之間需加一負電壓(vGS<0),使柵極、溝道間的PN

    開關電源芯片內部電路解析(二)

    最后詳細的電路設計圖,如圖5。?圖5?這里有個技術難點是在電流模式下的斜坡補償,針對的是占空比大于50%時為了穩定斜坡,額外增加了補償斜坡,我也是粗淺了解,有興趣同學可詳細學習。??誤差放大器??誤差放大器的作用是為了保證輸出恒流或者恒壓,對反饋電壓進行采樣處理。從而來調節驅動MOS管的PWM,如圖

    Q開關的類型和功能介紹

    1、可飽和吸收體Q開關:這是屬于被動Q開關。在共振腔內放可飽和吸收染料盒、色心晶體等。它們對腔內的激光透過率是光強的函數,在開始時,共振腔內的受 激輻射強度低,它們對光輻射的吸收率大,即共振腔的Q值很低;當工作物質被充分泵浦而達到激光振蕩閾值時,它們發生飽和吸收,透過率上升到近100%,共 振腔的Q

    接近開關的非埋入和埋入

       接近開關是依據電磁線圈感應的原理設計開發的;    所以,它只能應用到測金屬目標物體上,并且不同的金屬物體感應距離大有差距。    目前常用的接近開關檢測距離大約有幾毫米和幾厘米之間,距離的長短和感應面的大小有關,接近開關通常有兩種:埋入型和非埋入型。    所謂埋入型是指接近傳感器的感

    Q開關的組成和結構原理

    Q開關的組成:Q開關元件主要由石英晶體,壓電換能器,阻抗匹配元件,射頻插頭和殼體組成。Q開關出光示意圖Q開關控制激光的原理:Q開關是激光光學系統中一個重要光學元件,它通過阻斷和不阻斷光的反射通道來抑制和產生激光脈沖。不給壓電換能器施加射頻信號時,石英晶體保持其原有的常規折射率,由激光棒發射出來的平行

    光纖用光開關

    光纖用光開關 ????? 在線光纖用光開關(FOS)可以用于需要自動保存暗背景(單光路)或需要校正漂移(雙光路)的應用。在單光路FOS-1-Inline型和雙光路FOS-2-Inline型中可使用手動或TTL電控開關。 FOS光纖通常是用來把兩根帶SMA接頭的光纖耦合起來,包括2個或4個

    硬件高手的開關電源設計心得(二)

    今天談一談印制板銅皮走線的一些事項:走線電流密度:現在多數電子線路采用絕緣板縛銅構成。常用線路板銅皮厚度為35μm,走線可按照1A/mm經驗值取電流密度值,具體計算可參見教科書。為 保證走線機械強度原則線寬應大于或等于0.3mm(其他非電源線路板可能最小線寬會小一些)。銅皮厚度為70μm

    開關電源系統待機功耗測試分析(二)

    4.整流橋的后面在母線上會有幾個高壓器件,需要特別注意漏電流的大小!300V的母線每10uA就產生3mW的損耗。半導體器件一般來說都還好,比如整流橋、MOSFET,關斷時的漏電基本都在1uA以下。高溫情況下會大一些;但在空載損耗基本也只看常溫條件,沒有負載電路本身也沒熱量產生。電解電容的漏電在有些情

    開關電源系統待機功耗測試分析(二)

    7.開關管MOSFET上的損耗mos損耗包括:導通損耗,開關損耗,驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。改善辦法:降低開關頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片(在空載或很輕負載的情況下芯片進入間歇式振蕩)8.整流管上的吸收損耗輸出整流管上的結電容與整流管的吸收電容在開關狀態下引起的尖峰電流反射

    電子壓力開關與普通的壓力開關相比的特點

    電子壓力開關與普通的壓力開關相比有如下特點:(1)采用了模型識別技術克服了現有壓力開關的壓力瞬間超低時,壓力開關動作造成不正常 甩泵。(2)增加了流程選擇開關,旁接罐流程、密閉流程可設置不同的閾值,旁接罐流程設置的閾 值可適當降低,從而解決了旁接罐流程壓力開關不能投用的問題。(3)增設了校準按鈕,在

    光電開關檢測的精度和速度

       光電開關檢測方法具有對產品檢測精度高、反應速度快、非接觸等多種優點;    而且可選擇的測量參數多,傳感器的結構簡單,形式上靈活多樣,光電開關在檢測和系統控制中廣泛在運用。    人們通常所說的光電開關有三種分類:    一種是反射式光電開關、一種是對射式光開關、一種是帶反射板反射的光電

    光電開關的作用原理和特點

    光電開關是傳感器的一種,它把發射端和接收端之間光的強弱變化轉化為電流的變化以達到探測的目的。由于光電開關輸出回路和輸入回路是電隔離的(即電絕緣),所以它可以在許多場合得到應用。采用集成電路技術和SMT表面安裝工藝而制造的新一代光電開關器件,具有延時、展寬、外同步、抗相互干擾、可靠性高、工作區域穩定和

    Q開關技術的調節原理和目的

    調Q技術又叫Q開關技術,是將一般輸出的連續 激光能量壓縮到寬度極窄的脈沖中發射,從而使光 源的峰值功率可提高幾個數量級的一種技術。目的:獲得高峰值功率,窄脈寬脈沖激光。

    Q開關的定義

    Q開關(英文:Q-switching),也稱巨脈沖發生器,是一種產生脈沖激光的技術。

    KOBOLD流量開關特點

    KOBOLD流量開關分體型電磁流量計除可測量一般導電液體的流量外,還可測量液固兩相流,高粘度液流及鹽類、強酸、強堿液體的體積流量。一體型電磁流量計是根據法拉第電磁感應定律制定,用來測量導電流體的體積流量。由于獨特的特點已廣泛地應用于工業上各種導電液體的測量。主要用于化工、造紙、食品、紡織、冶金、環保

    發現新型“核糖開關”

       復旦大學近日宣布,該校上海醫學院英國籍全職長江學者特聘教授、復旦大學生物醫學研究院研究員Alastair Murchie和研究員陳東戎帶領的課題組,歷經3年多艱辛努力,在耐藥性病原菌中首次發現了一種對控制此類抗生素的耐藥性有重大作用的新型“核糖開關”,有望攻克此類藥物帶來的耐藥難題。該成果近日

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