銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術新突破
銻化物半導體材料在紅外制導、海洋監測、深空探索等領域具有重要應用前景，隨著銻化物多元素復雜低維材料分子束外延技術的不斷進步，國際上銻化物半導體相關的材料與光電器件技術創新發展十分迅速，美、日、德等發達國家競相開展研究，廣為人們矚目。 在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的制備技術等，突破了銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術。在此基礎上，研究團隊創新設計金屬光柵側向耦合分布反饋（LC-DFB）結構，成功實現了2μm波段高性能單模激光器，邊模抑制比達到53dB，是目前同類器件的最高值；而且輸出功率達到40mW，是目前同類器件的3倍以上。在銻化物量子阱大功率激光器方面， FP腔量子阱大功率激光器單管和巴條組件分別實現1.62瓦和16瓦的室溫連續輸出功率，綜合性能達到國際一流水平并突破國外高端激光器......閱讀全文
半導體所制成高溫連續激射2微米波段銻化物量子阱激光器
近日，中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室與超晶格國家重點實驗室分子束外延(MBE)課題組合作，采用分子束外延技術生長的InGaSb/ AlGaAsSb應變量子阱激光器，實現了高工作溫度(T=80℃)連續激射，激射波長2μm出光功率63.7mW，達到國內領先水平。?
我國科學家研制出新型銻化物半導體量子阱激光器
銻化物半導體材料在紅外制導、海洋監測、深空探索等領域具有重要應用前景，隨著銻化物多元素復雜低維材料分子束外延技術的不斷進步，國際上銻化物半導體相關的材料與光電器件技術創新發展十分迅速，美、日、德等發達國家競相開展研究，廣為人們矚目。 在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國
銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術新突破
銻化物半導體材料在紅外制導、海洋監測、深空探索等領域具有重要應用前景，隨著銻化物多元素復雜低維材料分子束外延技術的不斷進步，國際上銻化物半導體相關的材料與光電器件技術創新發展十分迅速，美、日、德等發達國家競相開展研究，廣為人們矚目。 在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國科
半導體所設計出大功率量子阱激光器寬譜光源
半導體寬譜光源在傳感、光譜學、生物醫學成像等方面具有廣泛的應用前景，但目前所采用的發光管（LEDs）和超輻射二極管（SLD）因其發射功率低而有所局限，所以研發大功率的寬譜激光器具有重要意義。 最近，中國科學院半導體研究所材料科學重點實驗室潘教青研究員在指導研究生從事大功率激光器研究中，設計并
基金委重大項目“銻化物低維結構紅外激光器”啟動會召開
近日，我所超晶格國家重點實驗室牛智川研究員主持承擔的國家自然科學基金重大項目“銻化物半導體低維結構中紅外激光器基礎理論與關鍵技術”啟動會在中國科學院半導體研究所順利召開。出席此次會議的有國家自然科學基金委信息科學部秦玉文主任、李建軍主任、潘慶處長，特邀專家夏建白院士、范守善院士、祝世寧院士、黃
我國學者提出銻化物微波導結構－提高激光器工作效率
銻化物半導體激光可以實現1.8μm-4μm的中紅外波段激光輸出，具有體積小、效率高、電驅動直接發光等優點，是中紅外激光技術領域的前沿研究熱點，在紅外光電技術、化學氣體及危險品監測等領域具有重要應用前景，并可作為中紅外光纖激光器的種子源和同帶泵浦光源。然而，由于銻化物半導體材料較低的熱導率和高空穴
半導體所制備成功太赫茲量子級聯激光器
中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室、低維半導體材料與器件北京市重點實驗室，在科技部、國家自然科學基金委及中科院等項目的支持下，經過努力探索，制備成功太赫茲量子級聯激光器和紅外量子級聯激光器(QCL)系列產品系列產品。 ? 太赫茲(THz)量子級聯激光器是一種通過在半導體異質結
上海微系統所鎵砷鉍量子阱激光器研究獲進展
近期，中國科學院上海微系統與信息技術研究所鎵砷鉍（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新進展。研究員王庶民領導的研究團隊采用分子束外延方法生長了鎵砷鉍量子阱材料，并成功制備出目前發光波長最長（1.142微米）的電泵浦鎵砷鉍室溫（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界紀錄，脈沖激射最大
半導體所在銻化物納米線研究中取得系列進展
III-V族半導體納米線憑借其獨特的準一維結構和物理特性在納米晶體管、納米傳感器和納米光電探測器等方面有著重要潛在應用，是當前國際研究的熱點。特別是，三元合金InAsSb納米線除了具有超高的載流子遷移率和極小的有效質量外，其可調的帶隙以及電、光學性能使其成為紅外探測器的理想材料。目前，國際上廣泛
半導體激光器的發展過程
在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）報告了砷化鎵材料的光發射現象，這引起通用電氣研究實驗室工程師哈爾（Hall）的極大興趣，在會后回家的火車上他寫下了有關數據。回到家后，哈爾立即制定了研制半導體激光器的計劃，并與
太赫茲光子學組件研究獲重大突破
量子級聯激光器（QCL）是一種在中長紅外和太赫茲范圍工作的半導體激光器。在QCL中，電子負責發射光子進入隨后的量子阱中，由此一個電子可以產生幾個光子，效率非常高。從一個量子阱到另一個量子阱的過渡稱為“量子級聯”。圖??? 科技日報柏林9月1日電?（記者李山）近日，一個來自德國、意大利和英國的研究
半導體激光器的發展
半導體物理學的迅速發展及隨之而來的晶體管的發明，使科學家們早在50年代就設想發明半導體激光器，60年代早期，很多小組競相進行這方面的研究。在理論分析方面，以莫斯科列別捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最為杰出。在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯
太赫茲量子級聯激光器和其它重要的半導體源
太赫茲(THz)[1．3]技術涉及電磁學、光電子學、半導體物理學、材料科學以及通信等多個學科。它在信息科學、生物學、醫學、天文學、環境科學等領域有重要的應用價值。THz振蕩源則是THz頻段應用的關鍵器件。研制可以產生連續波發射的固態半導體振蕩源是THz技術研究中最前沿的問題之一。基于半導體的THz輻
低維半導體材料的特性
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
半導體激光器的發展概況
半導體激光器又稱激光二極管(LD)。進入八十年代，人們吸收了半導體物理發展的最新成果，采用了量子阱(QW)和應變量子阱(SL-QW)等新穎性結構，引進了折射率調制Bragg發射器以及增強調制Bragg發射器最新技術，同時還發展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝，使得新的外延生長工藝能夠
常用的半導體激光器的應用
幾種常用的半導體激光器的應用：量子阱半導體大功率激光器在精密機械零件的激光加工方面有重要應用，同時也成為固體激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可靠性和小型化的優點，導致了固體激光器的不斷更新.在印刷業和醫學領域，高功率半導體激光器也有應用.另外，如長波長激光器（1976年，人們用Ga
常用的半導體激光器的應用
量子阱半導體大功率激光器在精密機械零件的激光加工方面有重要應用，同時也成為固體激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可*性和小型化的優點，導致了固體激光器的不斷更新。在印刷業和醫學領域，高功率半導體激光器也有應用.另外，如長波長激光器(1976年，人們用Ga[nAsP/InP實現了長波長
量子級聯激光器的原理
量子級聯激光器(Quantum Cascade Laser，簡稱QCL)是一種新型半導體激光器。 QCL原理 傳統的半導體激光器，工作原理都是依靠半導體材料中導帶的電子和價帶中的空穴復合而激發光子，其激射波長由半導體材料的禁帶寬度所決定,由于受禁帶寬度的限制，使得半導體激光器
半導體激光器的關鍵技術有哪些
半導體激光器的關鍵技術有哪些 半導體激光器是激光器中可以說是較為實用重要的激光器種類，也廣泛應用于印刷業和醫學領域，也因此成為了熱賣產品，加快了以取代激光打標機市場份額的步伐，非常值得人深思。它是電流注入型半導體PN結光發射器件，具有體積小、重量輕、直接調制、寬帶寬，轉換效率高、高可靠和易
半導體激光器的關鍵技術有哪些
半導體激光器是激光器中可以說是較為實用重要的激光器種類，也廣泛應用于印刷業和醫學領域，也因此成為了熱賣產品，加快了以取代激光打標機市場份額的步伐，非常值得人深思。它是電流注入型半導體PN結光發射器件，具有體積小、重量輕、直接調制、寬帶寬，轉換效率高、高可靠和易于集成等特點，產品波長覆蓋范圍從40
半導體激光器的關鍵技術
半導體激光器是激光器中可以說是較為實用重要的激光器種類，也廣泛應用于印刷業和醫學領域，也因此成為了熱賣產品，加快了以取代激光打標機市場份額的步伐，非常值得人深思。它是電流注入型半導體PN結光發射器件，具有體積小、重量輕、直接調制、寬帶寬，轉換效率高、高可靠和易于集成等特點，產品波長覆蓋范圍從40
低維半導體材料的特征
實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，發展納米科學技術的重要目的之一，就是人們能在原子、分子或者納米的尺度水平上來控制和制造功能強大、性能優越的納米電子、光電子器件和電路，納米生物傳感器件等，以造福人類。可以預料，納米科學技術的發展和應用不僅將徹底改變人們的生產和生活方式
太赫茲技術里程碑
1994年Federico Capasso和同事卓以和等人在貝爾實驗室率先發明量子級聯激光器。這被視為半導體激光領域的一次革命。2000年，我國科學家李愛珍（現任美國科學院院士）的課題組在亞洲率先研制出5至8微米波段半導體量子級聯激光器，從而使中國進入了掌握此類激光器研制技術的國家行列。 量子級聯
半導體所銻化物二類超晶格紅外探測器研究取得重要突破
銻化物InAs/GaSb二類超晶格材料具有二型能帶結構，電子有效質量大，俄歇復合率低，波長調節范圍大（約3-30微米），在高性能制冷型紅外探測器領域具有重要應用。與碲鎘汞紅外探測器相比，二類超晶格紅外探測器材料均勻性好，成本低，在中波及長波波段與碲鎘汞探測器性能相當，在甚長波波段
半導體研究所成功推出系列太赫茲量子級聯激光器產品
近年來，太赫茲技術發展迅速，應用越來越廣泛，是當前的熱門研究領域。由于太赫茲量子級聯激光器是產生太赫茲輻射的重要器件，因此科學家開始鉆研太赫茲量子級聯激光器的研究中，而就在近日，我國太赫茲量子級聯激光器領域有了重大進展，半導體研究所成功研制出系列太赫茲量子級聯激光器產品。 ? ? 中國科學
著名半導體光電子學家王圩逝世
1月26日，中科院半導體所發布王圩院士訃告。 以下為訃告全文：訃告 中國共產黨優秀黨員、中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體光電子學家王圩先生因病醫治無效，不幸于2023年1月26日18點11分在北京逝世，享年86歲。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
中國科學院院士、著名半導體光電子學家王圩逝世
1月26日，中科院半導體所發布王圩院士訃告。 以下為訃告全文：訃告 中國共產黨優秀黨員、中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體光電子學家王圩先生因病醫治無效，不幸于2023年1月26日18點11分在北京逝世，享年86歲。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
“納米科技”重點專項項目聯合召開啟動實施會議
2018年9月25日，國家重點研發計劃“納米科技”重點專項項目“高性能中遠紅外半導體激光器與探測成像芯片及應用”和“多場耦合納米異質結構光電子器件的基礎研究”在北京聯合召開啟動實施會議。專項總體專家組專家祝世寧院士、劉明院士、黃如院士以及同行專家解思深院士、鄭有炓院士、夏建白中院士等10余位專家組成
離子阱量子計算實現雙碼糾錯
來自奧地利因斯布魯克大學和德國亞琛工業大學的研究團隊，首次在離子阱量子計算機上使用兩種不同的量子糾錯碼實現了一組通用量子門。也就是說，利用新方法，量子計算機將能有效抑制錯誤，從而更有效地進行無錯誤計算。研究成果1月24日發表于《自然·物理》雜志。借助新方法，量子計算機采用在兩種不同的量子糾錯碼之間來
關于二極管激光器的基本介紹
二極管激光器中的P-N結由兩個摻雜的砷化鎵層形成。它有兩個平端結構，平行于一端鏡像（高度反射面）和一個部分反射。 激光二極管本質上是一個半導體二極管，按照P-N結材料是否相同，可以把激光二極管分為同質結、單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流