二次離子質譜（SIMS）的原理特點和應用
二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。中文名 二次離子質譜 外文名 secondary ion mass spectroscopy(SIMS)別稱：次級離子質譜、離子探針 原理：用一次離子束轟擊表面用途：材料檢測與表征、醫藥研究等二次離子質譜儀二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,這些帶電粒子經過質量分析器后就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。 [1] 在傳統的SIMS實驗中，高能一次離子束，如Ga, Cs, 或 Ar......閱讀全文
SIMS介紹
當固體樣品被幾keV能量的一次離子濺射時，從靶發射出來的一部分顆粒被電離。二次離子質譜法是使用質譜儀分析這些二次離子。離子轟擊下固體表面的二次離子發射提供了有關其最上面的原子層的元素、同位素和分子組成的信息。根據化學環境和濺射條件（離子、能量、角度），二次離子產生率會有很大的變化。這會增加該技術的量
SIMS是什么
次級離子質譜
二次離子質譜儀（SIMS）
二次離子質譜儀（SIMS）分析方法介紹美信檢測 失效分析實驗室 1.簡介?二次離子質譜儀（secondary ion mass spectroscopy，簡稱SIMS），是利用質譜法分析初級 離子入射靶面后，濺射產生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。二次離子質譜儀分 析對象包括金屬及合金、半導
結合錫鉍合金，SIMS有了新用途
水是地球演化的重要介質。名義上無水礦物中的水含量對巖石礦物的物理化學性質有深刻影響，是重要的地球化學指標，氧同位素對礦物本身以及水的來源也具有重要指示意義。這兩個指標的同時測試，不僅能拓展儀器功能，使大型二次離子質譜（SIMS）儀器的使用效率提升一倍，還可避免因地質樣品中廣泛存在的不
結合錫鉍合金，SIMS有了新用途
水是地球演化的重要介質。名義上無水礦物中的水含量對巖石礦物的物理化學性質有深刻影響，是重要的地球化學指標，氧同位素對礦物本身以及水的來源也具有重要指示意義。這兩個指標的同時測試，不僅能拓展儀器功能，使大型二次離子質譜（SIMS）儀器的使用效率提升一倍，還可避免因地質樣品中廣泛存在的不均勻性而導致
2026年國際SIMS會議定于廣州舉行
10月14日，記者從香港科技大學（廣州）獲悉，中國廣州已成功獲得2026年國際SIMS會議的舉辦權。這將是國際SIMS會議首次由中國主辦，大會將在香港科技大學（廣州）舉行。 據介紹，香港科技大學（廣州）材料表征與制備中心主任、先進材料學域兼任教授翁祿濤是申辦此次國際會議中國團隊中的核心成員，他同
動態二次離子質譜分析（DSIMS）
動態二次離子質譜分析（D-SIMS）1. 飛行時間二次離子質譜技術二次離子質譜技術（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子的質量來測定元素種類，具有極
飛行時間二次離子質譜儀（TOFSIMS）
飛行時間二次離子質譜儀（TOF-SIMS）介紹美信檢測失效分析實驗室?【摘要】飛行時間二次離子質譜儀（Time FlightSecondary Ion Mass Spectrometry， TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微 量的二次離子，根據二次
ToFSIMS助力研究人員解開“塔利怪物”之謎
分析測試百科網訊 萊斯特大學的研究團隊最近解開了一塊3億年前的化石“塔利怪物”之謎，利用獨有的眼部表征技術，確定古老的“塔利怪物”為古代脊椎動物。 被俗稱為“塔里怪物”的古老生物化石，是在北美洲的伊利諾伊州煤炭采石場被發現的， “塔利怪物”化石具有一個條紋狀的身體，一條長長的尾巴，在其頭部還具
二次離子質譜（SIMS）的原理特點和應用
二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。
SIMS(secondary－ion－mass－spectroscopy)二次離子質譜圖文
1.儀器介紹二次離子質譜（SIMS）是一種用于通過用聚焦的一次離子束濺射樣品表面并收集和分析噴射的二次離子來分析固體表面和薄膜的組成的技術。SIMS是最靈敏的表面分析技術，元素檢測限為百萬分之幾到十億分之一。Schematic of a typical dynamic SIMS instrument
SIMS、MALDI、DESI三種質譜成像技術對比
在我們日常生活中，拍照是記錄生活的常用手段，我們的日常拍照設備也從老式的“傻瓜”相機逐漸發展成為了輕巧實用的數碼相機。相片所反映出來的是我們所生活的客觀世界的一草一木、一人一景，我們可以看見輪廓和外在，卻看不到內部的結構，為了更好地探索世界，也為了更好地了解生物體的奧秘，科學家在漫長的歷史中發明出了
二次離子質譜（SIMS）的原理特點和應用
二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。中文名 二次離子
飛行時間二次離子質譜（TOFSIMS）研究
一、二次離子峰位歸屬煤及烴源巖中的有機組分的二次離子譜非常復雜，再加上目前對SIMS裂分機理掌握不夠，因此，對煤及源巖有機質的SIMS譜圖解釋存在很多問題。目前對TOF-SIMS常見碎片離子峰認識程度綜合于表7-7。本節研究重點是根據對現有峰位的認識，建立與13CNMR,Mirco-FT·IR可以類
硅中氧、碳的二次離子質譜(SIMS)分析
硅中氧、碳的二次離子質譜（SIMS）分析何友琴馬農農王東雪（電子材料研究所??天津?300192）摘?要?本文采用相對靈敏度因子法，對硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法進行研究。通過對樣品進行預濺射的方法，氧、碳的的檢測限分別可達到6.0e16atoms/cm3、2.0e16atoms/cm3。關
TOFSIMS（飛行時間二次離子質譜儀）的工作原理
1. 利用聚焦的一次離子束在樣品上進行穩定的轟擊，一次離子可能受到樣品表面的背散射（概率很小），也可能穿透固體樣品表面的一些原子層深入到一定深度，在穿透過程中發生一系列彈性和非彈性碰撞。一次離子將其部分能量傳遞給晶格原子，這些原子中有一部分向表面運動，并把能量傳遞給表面離子使之發射，這種過程成為粒子
等離子體分析飛行時間質譜將現身國際SIMS大會
分析測試百科網訊 在2015年9月14號星期一，日本堀場將在美國西雅圖舉辦的“第二十屆二次離子質譜國際會議”中作報告，報告的題目為《結合等離子體分析飛行時間質譜和飛行時間二次離子質譜在微電子中的應用》，此文由A. Tempez, J.-P. Barnes與Emmanuel Nolot, S. L
TOFSIMS（飛行時間二次離子質譜儀）的主要用途
1. 摻雜劑與雜質的深度剖析2. 薄膜的成份及雜質測定 （金屬、電介質、鍺化硅 、III-V族、II-V族）3. 超薄薄膜、淺植入的超高深度辨析率剖析4. 硅材料整體分析，包含B, C, O,以及N5. 工藝工具（離子植入）的高精度分析
二次離子質譜SIMS應用：從半導體材料到生命科學
在2012年以前，汪福意研究員一直帶領團隊通過有機質譜，如電噴霧電離質譜(ESI-MS)、基質輔助激光解析電離質譜(MALDI-MS)等進行藥物相互作用組學研究、抗腫瘤藥物的研究和開發等工作。一次與生物學家偶然的討論給汪福意帶來了啟發，他萌生了使用高空間分辨率的二次離子質譜成像進行化
“同位素地質學專用TOFSIMS科學儀器”項目啟動會召開
3月22日，科技部國家重大科學儀器設備開發專項“同位素地質學專用TOF-SIMS科學儀器”項目啟動會在北京召開。該項目由中國地質科學院地質研究所牽頭，中科院大連化學物理研究所、吉林大學、中國地質科學院礦產資源研究所參與。大連化物所李海洋研究員和王利研究員分別承擔了“精度及高分辨飛行
LAICPMS和SIMS硫化物微量元素和硫同位素原位分析
硫化物(特別是黃鐵礦)可形成于各類地質環境中，在金屬礦床的成礦早期一直延續到成礦后期。在觀察原生硫化物及其在成巖后的變質作用、熱液交代作用下生成的增生邊、重結晶的次生硫化物時，通過光學顯微鏡和背散射圖像，根據礦化、蝕變期次及礦物共生組合，可將不同結構的硫化物劃分為不同期次的產物，再與LA-ICP
二次離子質譜技術的分析和應用
二次離子質譜是一種具有超高分辨率和靈敏度的固體表面分析技術。它可以分析氫元素到鈾元素在內的所有元素和同位素，還可以得到固體表面官能團和分子結構等信息。SIMS可以分為靜態SIMS（SSIMS）和動態SIMS（DSIMS）兩種類型，通過不同掃描類型，得到二次離子質譜圖、化學成像、動態深度剖析曲線等
“同位素地質學專用TOFSIMS科學儀器”開發專項獲新進展
2015年1月27日，國土資源部科技與國際合作司組織有關專家在北京對中國地調局地科院地質所牽頭，中國科學院大連化學物理研究所、吉林大學和中國地調局地科院資源所所等單位參加的“國家重大科學儀器設備開發專項”項目《同位素地質學專用TOF-SIMS科學儀器》（編號：2011YQ050069）
不忘其志，先生千古——沉痛悼念查良鎮教授
我國二次離子質譜(SIMS)的開拓者，國際著名的SIMS專家，清華大學教授，查良鎮先生因病醫治無效，于2022年12月24日2點18分在北京逝世，享年八十五歲。查良鎮教授的逝世，不僅是中國SIMS界的損失，也是世界SIMS界的損失！查良鎮教授是清華大學“千字號”畢業生，留校任教后成為清華大學表面物理
二次離子質譜儀的發展歷史
自從Dunnoyer 第一次發現離子在真空中沿直線運動已經有100年的歷史，自此以后，分子束的應用在二十世紀持續到二十一世紀，它為重大技術進步和基礎研究奠定了基礎，分子束用于濺射源是其中應用之一。 盡管在是十九世紀中葉濺射的現象已經觀察到，直到十九世紀四十年代，隨著真空技術的進步，Herzog
二次離子質譜儀同時分析非金屬元素和金屬元素
二次離子質譜（sims）和濺射中性粒子質譜（snms）是表面分析科學和材料科學中廣泛應用的分析技術。使用離子濺射固體表面能夠引起光子、電子、中性粒子和二次離子的發射。sims技術探測濺射產生二次離子，snms技術探測濺射產生中性粒子。由于二次離子的產率和基體相關，sims技術具有顯著的基體效應，
3D成像——二次離子質譜技術
質譜成像技術能將基質輔助激光解吸電離質譜的離子掃描與圖像重建技術結合，直接分析生物組織切片，產生任意質荷比(m/z)化合物的二維或三維分布圖。其中三維成像圖是由獲得的質譜數據，通過質譜數據分析處理軟件自動標峰，并生成該切片的全部峰值列表文件，然后成像軟件讀取峰值列表文件，給出每個質荷比在全部質譜圖中
關于二次離子質譜儀操作模式的介紹
SIMS大致可以分為“動態二次離子質譜”（D-SIMS）"和“靜態二次離子質譜“（S-SIMS）兩大類。雖然工作原理上它們并無本質差別，但是兩種模式的應用特點卻有所不同。一次離子束流密度大小是劃分兩種模式的主要標準。一般在S-SIMS模式下，一次離子束流被控制在1013離子/cm2，常用飛行時間
3D成像二次離子質譜技術的相關介紹
質譜成像技術能將基質輔助激光解吸電離質譜的離子掃描與圖像重建技術結合，直接分析生物組織切片，產生任意質荷比(m/z)化合物的二維或三維分布圖。其中三維成像圖是由獲得的質譜數據，通過質譜數據分析處理軟件自動標峰，并生成該切片的全部峰值列表文件，然后成像軟件讀取峰值列表文件，給出每個質荷比在全部質譜
研究發現鋯石水含量和氧同位素同時測定新方法
水是地球演化的重要介質。名義上無水礦物中的水含量對巖石礦物的物理化學性質有深刻影響，是重要的地球化學指標，氧同位素對礦物本身以及水的來源也具有重要指示意義。這兩個指標的同時測試，不僅能拓展儀器功能，使大型二次離子質譜（SIMS）儀器的使用效率提升一倍，還可避免因地質樣品中廣泛存在的不均勻性而導致