我國利用壓電材料實現對MoS2場效應晶體管動、靜態調控
自2004年Geim等人第一次在實驗室得到單層石墨烯以來，二維材料的出現為傳感器領域的進一步發展提供了可能，相對于傳統的三維材料，二維材料的層狀結構決定了其器件厚度可以達到單原子層，為實現更輕、更薄、體積更小的電子器件提供了可能。相較于其他二維材料，以單層二硫化鉬 (MoS2) 為代表的二維半導體TMDs材料由于其優異的半導體性能（高開關比、遷移率）、合適的帶隙寬度、高穩定性等特點使其在電子器件應用中展現出優勢。除此之外，二硫化鉬所具有的良好的電學、光學、機械性能以及異乎尋常的比表面積都為其在傳感器應用領域鋪平了道路。單層二硫化鉬具有1.8 eV的帶隙，理論計算表明在室溫下遷移率和電流開關比分別可達到約410 cm2/Vs和109，為其場效應晶體管器件應用于多功能集成電路系統提供了可能。盡管二硫化鉬本身具有眾多優異的性能，滿足未來傳感器件在微型化、易于集成、輕薄等方面的需求，但是受制于其本身的壓阻、壓電效應都不明顯，若利用簡......閱讀全文
我國利用壓電材料實現對MoS2場效應晶體管動、靜態調控
自2004年Geim等人第一次在實驗室得到單層石墨烯以來，二維材料的出現為傳感器領域的進一步發展提供了可能，相對于傳統的三維材料，二維材料的層狀結構決定了其器件厚度可以達到單原子層，為實現更輕、更薄、體積更小的電子器件提供了可能。相較于其他二維材料，以單層二硫化鉬 (MoS2) 為代表的二維半導
壓電材料
壓電材料用戶可以根據需求選擇不同的壓電陶瓷材料，目前最常用的壓電陶瓷管選用的是PZT-5H材料，具體參數見下表：性能符號參數單位壓電常數d3358510-12m/Vd31-26510-12m/Vg3319.710-3Vm/Ng31-8.510-3Vm/N機電耦合系數Kp0.65NAK330.75NA
場效應晶體管的分類
場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。 根據柵的結構，場效應晶體管可以分為三種： ①結型場效應管(用PN結構成柵極)； ②MOS場效應管（用金屬-氧化物－
下一代納米結構或讓制造超低功率電子元件成為可能
來自東京都立大學的科學家們成功地設計了過渡金屬二硫化物的多層納米結構，它們在平面內相遇形成結點。他們從摻雜鈮的二硫化鉬碎片的邊緣長出了二硫化鉬的多層結構，形成了一個厚實的、粘合的、平面的異質結構。他們證明了這些可用于制造新的隧道場效應晶體管（TFET），即具有超低功率消耗的集成電路中的元件。化學氣相
科學家在單原子層材料中首次觀測到壓電電子學效應
美國佐治亞理工學院和中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士領導的研究小組最近與美國哥倫比亞大學的James Hone研究組合作，首次在二維單原子層材料二硫化鉬中實驗觀測到壓電效應(piezoelectric effect)和壓電電子學效應(piezotronic effect)，并首次成功
功率場效應晶體管有哪些優點？
功率場效應晶體管（VF）又稱 VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比 晶體管和 MOS場效應管更好的特性。即是在 大功率范圍應用的場效應晶體管，它也稱作功率 MOSFET，其優點表現在以下幾個方面： 1. 具有較高的 開關速度。 2. 具有較寬的安全工作區而 不會產生熱點，并且具有正的 電
場效應管與晶體管的比較
（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。 （2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型
物理所超靈敏二硫化鉬濕度傳感器研究獲進展
二維材料由于其超高的表體比、優異的電學性能、柔性透明等特性在濕度傳感器領域顯示了巨大的應用前景。這其中以二硫化鉬為代表的過渡金屬硫屬化物由于其優異的電流開關比、遷移率等特性為其在電子學器件中的應用提供了可能。由于二硫化鉬本身是一種n型半導體，因此當其表面吸附水分子時，相當于對其進行了p型摻雜，其
簡介功率場效應晶體管的特性
功率場效應晶體管及其特性 一、 功率場效應晶體管是 電壓控制器件，在功率場效應晶體管中較多采用的是 V溝槽工藝，這種工藝生產地管稱為 VMOS場效應晶體管，它的柵極做成V型，有溝道短、耐壓能力強、跨導線性好、開關速度快等優點，故在 功率應用領域有著廣泛的應用，出現一種更好的叫 TMOS管，它是
青島能源所有機場效應晶體管材料研究取得新進展
近日，中國科學院青島生物能源與過程研究所生物基及仿生高分子材料團隊負責人萬曉波等在二氮芳辛的合成機理研究以及由此衍生出的新型場效應晶體管材料合成方面取得階段性進展。 二氮芳辛是潛在的人工肌肉高分子材料的構筑基塊，一般可由2-氨基二苯甲酮通過傳統的縮合反應制備而得，但此過程需要長
化學所在聚合物場效應晶體管材料研究方面取得重要進展
在中國科學院、科技部、國家自然科學基金委的大力支持下，中國科學院化學研究所有機固體院重點實驗室相關研究人員在高性能聚合物半導體材料研究方面取得巨大進展，相關結果發表在近期的國際材料雜志Adv. Mater. (2012, 24, 4618–4622)上。 有機光電材料由于其在低
研究發展出單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路
柔性電子是新興技術，在信息、能源、生物醫療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產品中，對器件的低功耗提出了極高的技術需求。相對于傳統半導體材料，單層二硫化鉬二維半導體具有原子級厚度、合適的帶隙且兼具剛性（面內）和柔性（面外），是備受矚目的柔性集成電路溝
納米能源所首次提出摩擦電子學新研究領域
最近，中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士領導的研究小組將摩擦納米發電機與傳統場效應晶體管相結合，研制出接觸起電場效應晶體管，首次提出了摩擦電子學（Tribotronics）這一新的研究領域。相關研究成果于8月16日在線發表于ACS Nano（DOI: 10.1021/nn5039806
二硫化鉬摩擦離子電子學晶體管研究獲進展
兩種不同材料接觸分離可產生靜電荷并引發一個摩擦靜電場，該摩擦電場可以驅動自由電子在外部負載流通，得到脈沖輸出信號。一方面，摩擦納米發電機 (TENG) 就是利用了這種脈沖信號實現了將外部環境機械能轉換成電能，近期在許多領域實現了許多突破性進展，包括從多種機械運動獲取能源、自驅動機械感應系統、高靈
雙自由基材料及其有機場效應晶體管的相關研究
具有單線態雙自由基性質的材料（singlet diradicaloids）由于存在獨特的開殼電子構型，往往具有較小的能隙、較強的分子間作用力以及穩定的氧化還原態，因而被認為是潛在的有機場效應晶體管（OFET）材料。然而，隨著雙自由基性質的增加，材料/器件的穩定性會逐漸降低，這成為了制約此類材料走
物理所實現多層MoS2外延晶圓推動二維半導體的器件應用
以二硫化鉬為代表的二維半導體材料，因其極限的物理厚度、極佳的柔性/透明性，是解決當前晶體管微縮瓶頸及構筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半導體芯片的一類新材料。近年來，國際上已在單層二硫化鉬的晶圓制備及大面積器件構筑方面不斷突破，在晶圓質量和器件性能方面逐漸逼近極限。例如，中國科學院物理研究所
場效應管與雙極性晶體管的比較
1、場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。 2、場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適
摩爾定律難以為繼？新型二維材料有話說
近年來，半導體行業總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下。但北京大學物理學院研究員呂勁團隊與楊金波、方哲宇團隊最新研究表明，新型二維材料或將續寫摩爾定律對晶體管的預言。他們在預測出“具有蜂窩狀原子排布的碳原子摻雜氮化硼(BNC)雜化材料是一種全新二維材料”后，這次發表在《納米通訊》上的研究，通過
有機場效應晶體管研究的新成果
有機場效應晶體管作為分子電子學/有機電子學的核心基本單元而受到全世界的廣泛關注。并五苯是有機場效應晶體管（OFET）的重要化合物，具有高的遷移率和開關比。但并五苯化合物由于具有活潑的二烯單元和豐富的π電子，其穩定性差，從而限制了其應用。中科院化學所有機固體院重點實驗室研究人員采用一種新的方法合成了硫
美研制出新式超導場效應晶體管
據美國物理學家組織網4月28日（北京時間）報道，美國科學家使用自主設計的、精確的原子逐層排列技術，構造出了一個超薄的超導場效應晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導體的環境細節。發表于當日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學家能更好地理解高溫超導性，加速無電阻電子設備的研發進程。 普通絕緣材
用二硫化鉬鐵電場效應實現高響應度光電探測
近日，西安交通大學電信學部電子學院教授任巍、牛剛團隊利用基于二硫化鉬溝道和外延鐵電HZO薄膜柵介質的光電晶體管實現了高響應度光電探測，相關研究成果發表在Advanced Functional Materials上。該研究利用優化的具有背柵結構和肖特基對650nm波長光電響應進行了實驗驗證并實現良好的
常用的壓電材料分類
?一類是無機壓電材料，分為壓電晶體和壓電陶瓷，壓電晶體一般是指壓電單晶體；壓電陶瓷則泛指壓電多晶體。? 壓電陶瓷是指用必要成份的原料進行混合、 成型、高溫燒結，由粉粒之間的固相反應和燒結過程而獲得的微細晶粒無規則集合而成的多晶體。具有壓電性的陶瓷稱壓電陶瓷，實際上也是鐵電陶瓷。在這種陶瓷的晶粒之中存
中國科大在二維器件范德華接觸研究中取得進展
近日，我校合肥微尺度物質科學國家研究中心曾華凌教授、物理學院喬振華教授和化學與材料科學學院邵翔教授在二維電學器件范德華接觸研究中取得新進展，展示了一種制備二維電學器件的“全堆疊”技術，優化了二維材料與金屬電極之間的界面接觸，為二維電學器件的制備提供了一種高效、高質量且高穩定性的普適方法。相關研究成果
新方法助力二維半導體材料開發
中國科學院院士、北京科技大學教授張躍及北京科技大學教授張錚團隊等提出了一種名為“二維Czochralski（2DCZ）”的方法，該方法能夠在常壓下快速生長出厘米級尺寸、無晶界的單晶二硫化鉬晶疇，這些二硫化鉬單晶展現出卓越的均勻性和高質量，具有極低的缺陷密度。1月10日，相關研究成果發表在《自然—材料
電子級二維半導體與柔性電子器件研究新進展
在半導體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下，以二硫化鉬（MoS2）等過渡金屬硫屬化合物（TMDC）為代表的二維半導體材料顯示出獨特優勢，具有超薄厚度（單原子層或少原子層）和優異的電學、光學、機械性能及多自由度可調控性，使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學器件中具有優勢。然而，現階段以器件應用為
物理所研究團隊發展出新的二維材料圖案化的方法
二維材料具有原子級厚度和較高的比表面積，所有原子處于表面，導致其表面對表面吸附和外界環境較為敏感。二維半導體材料在電子學與光電子學器件領域具有廣闊的應用前景，有望成為下一代小型化電子器件的核心材料。為實現此類應用，需要對材料進行剪裁。通過常規的微納加工技術，包括光刻和反應離子干法刻蝕或化學溶液濕
我國實現相同工藝器件集成度翻倍并獲卓越性能
12月9日，《自然—電子學》發表復旦大學微電子學院教授周鵬、研究員包文中及信息科學與工程學院研究員萬景團隊的論文。研究人員設計出一種晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，可以在相同的工藝節點下，實現器件集成密度翻倍，并獲得卓越的電學性能。硅基二維疊層晶圓級制造與器件結構? ? ? ?受訪者供圖傳統集成電路技
科學家突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術
近日，我國科學家在科技部重點研發計劃、國家自然科學基金委等項目的支持下，突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術。相關成果發表于《先進材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料實驗室、中國科學院物理研究所、北京大學、華南師范大學組成的聯合研究團隊在松山湖材料實驗室研究員張廣宇的指導下，基
壓電陶瓷尺寸、電極材料如何選
壓電陶瓷尺寸、電極材料可選芯明天可以提供多種尺寸結構以及鎳或金等不同電極材料的壓電陶瓷管掃描器。外徑壁厚高度1.524mm2.54mm3.175mm6.35mm9.525mm0.254mm0.3048mm0.381mm0.508mm0.762mm3.175mm至76.2mm
場效應管與晶體管在電氣特性方面的主要區別
1：場效應管是電壓控制器件，管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應管漏源靜態伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。 3：場效應管電流IDS與柵極UGS之間的關系由跨導Gm 決定，晶體