英特爾芯片將首次采用三維晶體管
據英國廣播公司（BBC）5月4日報道，美國英特爾公司4日表示，該公司已研發出可大規模生產的三柵（Tri-Gate）三維結構晶體管，配備了新晶體管的芯片在能耗大幅降低的同時，性能也得到了改進。分析人士指出，這是集成電路問世后計算機領域最重要的轉變。 英特爾當天還展示了名為“常春藤橋”的22納米微處理器，并計劃今年年底開始進行商業化生產。英特爾表示，它將是首款采用新型三維晶體管的量產芯片，安裝了這種芯片的電腦將于2012年面世。 英特爾公司22納米微處理器項目小組的負責人凱扎德·米斯特里表示，英特爾公司的科學家早在2002年就發明了“三柵”結構的三維晶體管，但直到現在才能進行大規模生產。 米斯特里解釋說，目前廣泛使用的晶體管通常都是二維的，英特爾在其上增加了第三維——“鰭”狀的突起物，額外多出的表面會使晶體管的導電能力更強、能耗更低、性能更高；同時也能使芯片中的晶體管被更緊密地封裝。 英特......閱讀全文
英特爾芯片將首次采用三維晶體管
據英國廣播公司（BBC）5月4日報道，美國英特爾公司4日表示，該公司已研發出可大規模生產的三柵（Tri-Gate）三維結構晶體管，配備了新晶體管的芯片在能耗大幅降低的同時，性能也得到了改進。分析人士指出，這是集成電路問世后計算機領域最重要的轉變。 英特爾當天還展示了名為“常
3D結構晶體管首次問世－為摩爾定律注入新活力
22納米制程技術實現突破5月5日，英特爾公司宣布，自50多年前硅晶體管發明以來，3-D結構的晶體管首次問世。該公司推出的三柵極（Tri-Gate）3-D晶體管設計成功實現了22納米制程技術的突破，從而推翻了摩爾定律即將走到盡頭的判斷。 據英特爾技術與制造事業部亞洲區發言人柯必杰介紹
摩爾定律：50歲依然年輕
1965年4月19日，36歲的戈登·摩爾在《電子雜志》中預言：集成電路中的晶體管數量大約每年就會增加一倍。十年過后，摩爾根據實際情況對預言進行了修正，把“每年增加一倍”改為“每兩年增加一倍”。半導體行業的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術進步的速度，更在接下來的半個實際中，猶如一
英特爾公布最新微架構及14納米技術細節
英特爾近日公布了最新微架構的細節，該微架構使用英特爾業界領先的14納米制程工藝進行了優化。新的微架構和14納米制程技術相結合，將以高性能、低功耗的特性支持一系列計算需求和產品，涵蓋了從云計算和物聯網基礎設施，到個人及移動計算。 酷睿M處理器的微架構是利用英特爾14納米技術制造的第一款產品。新的
英特爾：將繼續推動摩爾定律的創新
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/490898.shtm未來晶體管的發展是否依舊遵循摩爾定律？在近日舉行的2022 IEEE國際電子器件會議（IEDM 2022）上，英特爾給出了肯定的回答。12月8日，在接受《中國科學報》等記者采訪時，英
摩爾去世，影響世界的摩爾定律還活著嗎？
英特爾公司聯合創始人戈登·摩爾3月24日去世，享年94歲。作為半導體行業的先驅，他提出的“摩爾定律”預言了芯片行業日新月異的發展進程。 現在人們熟知的“摩爾定律”是指：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目每隔18-24個月增加一倍，性能也將提升一倍。事實上，摩爾并沒有說過“每18個月翻一
英特爾繼續推進摩爾定律：芯片背面供電，突破互連瓶頸
隨著背面供電技術的完善和新型2D通道材料的采用，英特爾正致力于繼續推進摩爾定律，在2030年前實現在單個封裝內集成1萬億個晶體管。 包括PowerVia背面供電技術、用于先進封裝的玻璃基板和Foveros Direct技術預計將在2030年前投產。 12月9日，英特爾在IEDM 2023（2
美物理學家稱摩爾定律將在十年內崩潰
北京時間5月3日凌晨消息，據美國IT網站ComputerWorld報道，一位知名的理論物理學家稱，計算機行業中的關鍵理論“摩爾定律”（Moore"s Law）即將崩潰。 紐約市立大學理論物理教授加來道雄（Michio Kaku）在接受BigThink.com網站的視頻采訪時稱，這項延續了4
延續摩爾定律，二維晶體管潛力如何？
自20世紀60年代以來，電子電路上可容納的元器件數量每兩年便增加一倍，這種趨勢就是著名的摩爾定律。隨著晶體管越來越小，硅芯片上可容納的元器件數量在不斷增加。但目前看來，硅晶體管正接近它的物理極限。只有開發出全新類型的材料和設備，才能釋放下一代計算機的潛力。單分子厚晶體管芯片或許能用來驅動下一代計
英特爾發布全新數據中心處理器
1月11日，以“芯加速 行至遠”為主題的第四代英特爾至強新品發布會在北京舉行。會上，英特爾正式推出第四代英特爾至強可擴展處理器（代號“Sapphire Rapids”）、英特爾至強CPU Max系列（代號“Sapphire Rapids HBM”）以及英特爾數據中心GPU Max系列（代號“Pont
英特爾創始人、“摩爾定律”提出者戈登·摩爾去世
當地時間2023年3月24日，英特爾和戈登和貝蒂·摩爾基金會宣布，英特爾公司聯合創始人、摩爾定律提出者戈登·摩爾（Gordon Moore）去世，享年94歲。 貝蒂·摩爾基金報告稱，Moore于2023年3月24日星期五在夏威夷的家中被家人包圍，平靜地去世。 基金會主席Harvey Fine
以材料分析觀點看英特爾兩代14nm制程的演進
半導體大廠英特爾（Intel）創始人之一戈登?摩爾（Gordon Moore）在1965年發表了一篇文章，提出了集成電路上可容納的晶體管數量，將以每24個月增加一倍的規律發展，這個理論經過數次演變，成為半導體產業界奉為圭臬的“摩爾定律”（Moore’s Law）。為了使微處理器芯片更有效率地
清華團隊首次實現具有亞1納米柵極長度的晶體管
晶體管是芯片的核心元器件。更小的柵極尺寸可以使得芯片上集成更多的晶體管，并帶來性能上的提升。近日，清華大學集成電路學院教授任天令團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重要進展，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學性能。相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題，在
我國學者首次實現具有亞1納米柵極長度的晶體管
晶體管是芯片的核心元器件。更小的柵極尺寸可以使得芯片上集成更多的晶體管，并帶來性能上的提升。近日，清華大學集成電路學院教授任天令團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重要進展，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，該晶體管具有良好的電學性能。相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”為題，在線發
一篇文章說清半導體制程發展史（一）
半導體制造工藝節點是如何演進的？晶體管的架構是怎樣發展成如今模樣的？下面告訴你...半導體制造的工藝節點，涉及到多方面的問題，如制造工藝和設備，晶體管的架構、材料等。下面，我們就具體介紹并分析一下，供大家參考。首先，技術節點是什么意思呢？常聽說的，諸如，臺積電16nm工藝的Nvidia GP
認識晶體管
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般
技術分享：晶體管以類似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關
一篇文章說清半導體制程發展史（五）
14nm 繼續FinFET。下面是英特爾的14nm晶體管的SEM橫截面圖，大家感受一下，fin的寬度平均只有9nm。當然，在所有后代的技術節點中，前代的技術也是繼續整合采用的。所以現在，在業界和研究界，一般聽到的晶體管，都被稱作high-k/metal gate Ge-strained 14
把芯片“命根”拿捏的死死的，臺積電新突破意外助力大陸
目前，臺積電作為全球芯片代工業的領頭羊，為增強自身的核心競爭力，一直在未雨綢繆，近期更是在1納米芯片生產線上實現破冰。不過，有趣的是，臺積電這一新的突破，卻無形中提升了我國半導體產業的地位，因為它的“命根”很大程度上為大陸掌控。 眾所周知，前幾年美國向我們中國扔出禁止紙片芯片的禁令，臺積電突然
美科學家擬研制新式真空晶體管突破摩爾定律限制
據物理學家組織網近日報道，美國科學家在近日出版的《自然—納米技術》雜志上宣稱，他們打算用真空替代硅電子設備作為電子傳輸媒介，據此研發出的新式真空管有望突破摩爾定律的藩籬，徹底改變電子學的面貌。 科學家們于1947年研制出了半導體晶體管，以替代笨重且低效的真空管。此后，科學家們一直在不斷研制
3納米芯片－可能連蘋果都玩不起
卡在2022年的最后幾天，臺積電兌現了年內量產3nm工藝芯片的承諾。 12月24日，據中國臺灣媒體《經濟日報》報道，臺積電將于下周在南科園區的3nm工廠舉辦量產暨擴廠典禮。 按照臺積電的規劃，這座總投資高達6000億新臺幣（約合人民幣1360億）的超級工廠，在滿產后的月產能將實現6萬片12英
分子大小的晶體管新鮮出爐－尺寸或已達摩爾定律極限
砷化銦晶體管的中心是酞菁染料分子，其周圍環繞著12個帶正電的銦原子。 在一個砷化銦晶體上，12個帶正電的銦原子環繞著一個酞菁染料分子，這就是科學家最新研制的分子大小的晶體管。按照摩爾定律的硬限制，這很可能是一個晶體管所能達到的最小尺寸。 新型晶體管是由德國PDI固體電子學研究所、柏林自由大學、日
從誕生到無處不在——一文看懂四位微處理器（二）
TMS10001971年9月17日，TI（TexasInstruments，德州儀器）的Gary Boone和Michael Cochran開發出以預編程嵌入式應用（pre－programmed embedded applications）為主打技術的4位微處理器TMS 1000，采用DIP
追蹤技術發展的利器——ZL（一）
我們生活在一個信息爆炸的時代。遍及世界各地的思想交流非常廣泛，每天都會涌現出新的創新產品。因此，在這個時代，更需要了解競爭情報。當今的公司對競爭對手研發實驗室中醞釀的內容以及預測市場上將出現什么新穎的應用頗感興趣，以便確定最佳的反擊行動計劃。此外，具有創新思想的新參與者正在迅速崛起，其部分原因是過去
微處理器、智能手機與技術創新
從不久前沸沸揚揚的中興事件中，國人大體上都了解到微處理器芯片的極其重要性。沒有微處理器芯片，就沒有智能手機和許多創新產品。但是，許多人可能并不了解微處理器變遷和發展的速度有多快。2018年5月16日微軟首席執行官峰會上，艾德·拉佐斯卡教授（Ed Lazowska，華盛頓大學保羅·G·艾倫計算機科學與
7納米之“爭”：技術概念尚待厘清
近日，一則內容為“全球首個7納米（nm）量產芯片在嘉楠耘智誕生”的消息引發了大量關注與熱議，文中“領先世界”“彎道超車”等抓人眼球的字眼更是引起半導體行業內人士的質疑。 《中國科學報》記者了解到，發布“全球首款7nm量產芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特幣礦機廠商（全稱為“杭州嘉楠耘智信息科技有限
芯粒：后摩爾時代下降發揮怎樣的作用
前言：芯粒逐漸成為半導體業界的熱詞之一，它被認為是一種可以延緩摩爾定律失效、放緩工藝進程時間、支撐半導體產業繼續發展的有效方案。摩爾定律的演變即便不是IT從業人士，想必也會聽說過著名的“摩爾定律”：1965年，英特爾創始人戈登·摩爾提出，在至多十年內，集成電路的集成度會每兩年翻一番，后來這個
英特爾測試完成以現有硅基半導體制程生產量子運算芯片
近日，處理器龍頭英特爾實驗室和組件研究組織在2022年硅量子電子研討會表示，實驗室和零部件研究部門已展示硅自旋量子運算設備的業界最高產量規格和一致性。英特爾成功以現有硅基半導體制程生產量子運算芯片，且良率達到了95%。這一成就代表了在英特爾晶體管制造工藝上擴展和制造量子芯片的一個重要里程碑。?英特爾
首個豎放晶體管計算機芯片問世
據《科學》消息，美國萬國商業機器公司（IBM）和三星的研究人員已經制造出首個將晶體管豎立在兩端的計算機芯片原型，即垂直傳輸場效應晶體管。這一變化將使電路的封裝更加緊密，并使更快或更節能的設備成為可能。一種新的具有垂直傳輸場效應的晶體管 業界知名硬件拆解與分析機構TechInsights半導體行
彭練矛院士：沒有芯片，就沒有中國未來的現代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm當前，云、大數據、人工智能、個性化醫療和健康監控領域，未來數字化和智慧化的發展，都離不開芯片。毫不夸張地說，芯片就是現代技術的驅動力，中國未來如果沒有芯片，就沒有中國未來的現代化。集