研究人員進一步對銨根離子的存儲行為進行了電化學研究(圖2)。相對于單一結構和組分的TiN/CNTF、MoS2/CNTF電極材料,MoS2@TiN/CNTF展現出優異的贗電容特性和高的容量(1044.3 mF cm-2, 4 mA cm-2),這歸功于MoS2@TiN復合材料本身的三維分級結構的協同效應。理論計算證明,高導電性TiN不僅改善了MoS2對NH4+的結合能力,而且由于NH4+的存在導致了MoS2@TiN異質結構界面處的電荷重新分布而形成內建電場,進一步提高了與NH4+的結合強度。
該研究組裝的基于MoS2@TiN/CNTF的準固態纖維狀銨根離子非對稱超級電容器(FAASC),表現出良好的機械柔性、電化學可逆性和典型的贗電容特性。在2 mA cm-2電流密度條件下,其比電容和能量密度分別達到了351.2 mF cm-2、195.1 μWh cm-2和2.0 V高的電勢窗口。
該工作揭示了自支撐的MoS2@TiN核殼異質結陣列作為柔性FAASC器件負極材料的合理設計,展現出良好的機械柔韌性、高的比容量和寬的電勢窗口,促進了高能密度可穿戴銨根離子非對稱超級電容器的進一步發展。相關研究成果以Arrayed Heterostructures of MoS2 Nanosheets Anchored TiN Nanowires as Efficient Pseudocapacitive Anodes for Fiber-Shaped Ammonium-Ion Asymmetric Supercapacitors為題發表在ACS Nano上。