中國科大等在氧化物電子學領域取得進展

中國科學技術大學教授吳文彬和王凌飛團隊聯合西北大學教授司良團隊，制備了廣譜高效的新型超四方相水溶性犧牲層材料Sr4Al2O7，可用于制備多種高質量自支撐氧化物薄膜。1月26日，相關研究成果以研究長文形式，以Super-tetragonal Sr4Al2O7?as a sacrificial layer for high-integrity freestanding oxide membranes為題，發表在《科學》（Science）上。

自支撐氧化物薄膜是指一種去除襯底后依舊保持單晶特性的低維量子材料，兼具關聯電子體系的多自由度耦合特性和二維材料的結構柔性。這類材料具有超彈性、撓曲電性和顯著的磁彈效應等，有望誘導出傳統外延氧化物薄膜不具備的新奇量子衍生現象和功能特性。同時，由于擺脫了單晶襯底的剛性束縛，自支撐氧化物薄膜易于實現與硅基半導體、二維范德瓦爾斯材料以及柔性高分子材料的集成，在超薄柔性電子器件開發方面頗具應用潛力。

多年來，自支撐氧化物薄膜的主流制備方法是基于水溶性犧牲層的外延生長、剝離和轉移技術。然而，目前國際上普遍使用的Sr-Al-O基水溶性犧牲層與目標氧化物薄膜之間不可避免的晶格失配和應力弛豫會導致高密度界面缺陷的形成，進而在水輔助剝離和轉移過程中誘發高密度裂紋的產生，顯著影響自支撐氧化物薄膜的結晶性和完整性，并導致相應功能特性的退化。因此，如何抑制微裂紋的形成，獲得大面積、高結晶性的自支撐氧化物薄膜，是推動這一領域發展的關鍵科學問題。

該研究探索了Sr-Al-O基水溶性犧牲層薄膜的激光分子束外延生長窗口，通過精細的薄膜生長控制發現了新型水溶性犧牲層材料Sr4Al2O7。系統的實驗表征和第一性原理計算展現了該材料的優異性質：雙軸應變下的Sr4Al2O7薄膜具有四方結構對稱性，與多數ABO3鈣鈦礦材料可以形成高質量共格外延生長，抑制了界面處缺陷的形成和水輔助剝離過程中的裂紋產生，顯著提升了自支撐氧化物薄膜的結晶性和完整性。研究驗證了晶格常數在3.85~4.04 ?區間的一系列鈣鈦礦氧化物薄膜的剝離效果，發現了從Sr4Al2O7犧牲層上剝離的自支撐薄膜中無裂紋區域可以擴展到毫米級，比目前已報道的同類自支撐薄膜樣品大1~3個數量級，且其結晶性和功能性可以與單晶襯底上生長的高質量外延薄膜相當。Sr4Al2O7薄膜的激光分子束外延生長窗口與多數鈣鈦礦氧化物薄膜兼容，制備工藝具有普適性。研究進一步發現，Sr4Al2O7獨特的原子結構導致其具有很高的水溶性，顯著縮短了水輔助剝離過程的時間，提升了自支撐氧化物薄膜的制備效率。

新型水溶性犧牲層Sr4Al2O7的發現，為制備高結晶性、大面積自支撐氧化物薄膜提供了高效且普適的實驗手段。這有望推動自支撐氧化物薄膜新奇量子物態的進一步發掘，并可以提升這一體系在低維柔性電子學器件方面的應用潛力。審稿人對這一成果給予高度評價，認為“對于（自支撐氧化物薄膜）這一正迅速發展的研究領域內的科學家而言，這無疑是一個有趣的工作”“章等人的工作具有從多個方面對氧化物電子學領域形成廣泛影響的潛力”。

研究工作得到國家重點研發計劃、國家自然科學基金、中國科學院穩定支持基礎研究領域青年團隊計劃、中國科大“雙一流”專項基金等的支持。

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