上海市高端硅基材料重點實驗室依托上海硅產業集團、上海集成電路材料研究院等單位研發資源與協同創新優勢,聚焦高端硅基集成電路襯底材料300mm大硅片的自主創新,全面突破了300mm近完美單晶生長、超平坦拋光工藝以及極限表征等關鍵技術瓶頸,開發出相關材料已達到國內領先水平。
上海市高端硅基材料重點實驗室介紹,實驗室建設與發展過程中,獲得了上海市科委的大力指導與支持。特別是在技術研發方面,在大硅片、氮化鎵材料研究以及材料檢測平臺建設方面得到了上海市科委專項的大力支持,進一步加快了高端硅基材料的研發與產業化推進;在引育優秀科技人才方面,實驗室人員得到了上海市多項人才計劃的支持,進一步推進了實驗室引進行業領域海外高端人才和優秀青年人才的引進力度;在機制體制創新方面,上海市支持實驗室與高校院所、龍頭企業的聯合,強化市重績效評估結果與財政支持相銜接,為實驗室建設提供了經費支持,推進了實驗室在基礎研究和科技創新成果的產出。
此次,上海科技對上海市高端硅基材料重點實驗室進行了專訪,以下為主要對話內容:
Q:在加速前沿技術研發和創新技術產業化方面,實驗室有哪些合作案例?
@上海市高端硅基材料重點實驗室 為持續優化300mm大硅片的制造工藝,提高產品良率,實驗室就大硅片研發與制造過程中亟需解決的技術難題,與上海集成電路材料研究院合作共同開展關鍵核心技術的研發與攻關,逐步解決了拋光墊開發、保持環特性研究、快速量測、雙面拋光工藝仿真與工藝開發等一系列產業真問題,切實加快了大硅片的產業化推進。 Q:最初為什么創立上海市高端硅基材料重點實驗室? @上海市高端硅基材料重點實驗室 2019年底組建的上海市高端硅基材料重點實驗室,聚焦高端硅基材料技術創新的重大需求,充分發揮產研協同創新優勢,開展高端硅基材料領域的基礎研究、技術創新和共性平臺建設,促進技術創新和產品應用。建立以來,實驗室堅持長期穩定地大力度投入,提升核心技術攻關能級,突破高端硅基材料的技術瓶頸,推動自主可控的高端硅基創新體系建立,力圖解決我國集成電路中高端硅基材料產業與核心技術長期受制于人的局面。 Q:實驗室如何在加強頂層設計和系統布局的同時,加大建設力度和體制機制創新,強化基礎研究和應用基礎研究,引領技術發展?請介紹一下實驗室在體制機制方面的創新實踐。 @上海市高端硅基材料重點實驗室 實驗室圍繞國家集成電路材料發展戰略,以重大科技任務攻關和國家戰略需求為主線,開展戰略性、前瞻性、基礎性、應用性科技創新。實驗室在加強頂層設計和系統布局的同時,加大建設力度和體制機制創新,強化基礎研究和應用基礎研究,引領技術發展。其體制機制創新主要體現在以下方面: 1.建立“兩會一小組”管理體制。深化科技體制改革,凝聚協同創新合力,建立起領導小組管理、學術委員會咨詢指導、主任委員會負責制的“兩會一小組”管理架構,有效調動行政、專業和執行的力量。其中,領導小組是重點實驗室的決策機構,負責制定戰略部署和決策重大事項,審定建設方案、年度工作計劃和主要改革創新舉措等,總體協調領導實驗室建設與發展。學術委員會審議實驗室的發展目標、研究方向和重大學術活動,為實驗室的建設和發展提出指導性的建議。 2. 建立關鍵技術協同創新機制。實驗室與行業領軍企業、高校院所、新型研發機構開展高端硅基材料技術協同創新,實現資源共享和優勢互補,加速科技成果的轉化和應用,提升了實驗室的創新能力。同時發揮“企業出題者”作用,建立完善的“出題-接題-解題”機制,優勢企業提出亟待突破的產業技術問題,促進產研高效協同攻關,為集成電路材料產業解決“真問題”。 Q:從產業應用與落地轉化的角度來看,實驗室做了哪些技術突破? @上海市高端硅基材料重點實驗室 上海市高端硅基材料重點實驗室圍繞300mm大硅片,開展300mm硅片技術研發,不斷突破近完美單晶生長、超平坦拋光工藝、關鍵技術瓶頸等,全面提升了硅片的質量和性能,成果研發出面向存儲器應用的完美單晶棒,助力實現300mm硅片的大規模生產。300mm硅片產業的發展帶動了上下游產業鏈的協同發展,形成了完整的產業生態體系。上下游企業加強合作與交流,共同推動國內半導體產業的進步與發展。300mm大硅片研發團隊成果實現把核心技術牢牢掌握在自己手中,為我國發展集成電路制造技術、打破“卡脖子”困局提供了重要的材料支撐。 Q:未來,在加強基礎研究和應用基礎研究、推動科技成果轉化和產業化等方面,實驗室有哪些戰略布局? @上海市高端硅基材料重點實驗室 重點實驗室將繼續圍繞我國集成電路產業的發展需求,加強300mm大硅片、硅基氮化鎵等襯底材料的基礎研究和應用基礎研究,推動科技成果轉化和產業化。同時,實驗室將積極拓展國內外合作與交流,引進和培養高層次人才,提升整體研發水平和創新能力。進一步推動自主可控的高端硅基材料創新體系建立。
上海市高端硅基材料重點實驗室依托上海硅產業集團、上海集成電路材料研究院等單位研發資源與協同創新優勢,聚焦高端硅基集成電路襯底材料300mm大硅片的自主創新,全面突破了300mm近完美單晶生長、超平坦拋......
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