電荷轉移器件（CTD，charge，transfer·devices）是新一代的光譜用光電轉換器件。它是一類以半導體硅片為基材的光敏元件制成的多元陣列集成電路式焦平面檢測器，已在原子發射光譜儀器中成功應用的有電荷耦合器件（charge coupled device，即CCD）及電荷注入器件（charge-injection device，即CID）。目前已逐漸取代光電倍增管在原子發射光譜中的應用。它的主要優點是可以一次曝光同時攝取從紫外光區至遠紅外光區的全部光譜。而光電倍增管則一次曝光只能攝取一條譜線。同時作為硅半導體器件，它比光電倍增管有更好的耐用性和小的體積等一系列特點。