| 儀器名稱: | 飛行時間二次離子質譜 |
| 儀器編號: | 13027664 |
| 產地: | 德國 |
| 生產廠家: | ION-TOF GmbH |
| 型號: | TOF.SIMS 5 |
| 出廠日期: | 2012.5 |
| 購置日期: | 201312 |

| 所屬單位: | 化學系>分析中心>北京電子能譜中心 |
| 放置地點: | 理科樓D-104 |
| 固定電話: | |
| 固定手機: | |
| 固定email: | |
| 聯系人: | 郭沖(010-62783586,18210032027,guochong1992@163.com) 李芹(010-62783586,18813199160,liqincup@mail.tsinghua.edu.cn) 李展平(010-62783586,13718178346,zhanpingli@mail.tsinghua.edu.cn) |
| 分類標簽: | SIMS 二次離子質譜 TOF-SIMS 飛行時間二次離子質譜 質譜 |
| 技術指標: | 1 分析器:反射式 質量分辨率:M/△M >1100028SiH+ >16000 (>200amu) 質量范圍: >12000amu 2 LMIG:Bi源 最大能量:30keV 最大電流:30nA 最小束斑直徑:<100nm(Atomic), <80nm(Cluster) 3 GCIB (Ar團簇離子槍) 能量范圍:2.5~20keV Cluster 大小:約2500(m=100000amu) 4 O2+離子槍 (僅作濺射) 離子能量范圍:0.2~2keV 5 Cs+離子槍(和O2+離子槍共享一個離子光學系統) 離子能量范圍:0.2~2keV 6 帶電中和低能電子槍 能量:1-20eV可調 7 樣品臺:5維加熱/冷卻 控溫范圍及精度:-150℃~600℃;±1℃ 8 EDR技術:動態范圍增2個量級 9 本底真空:<5×10-10mba |
| 知名用戶: | 半導體所 北京大學 北京郵電大學 北京有色金屬研究總院 清華大學材料學院 核工業西南物理研究院 清華大學化學系 清華大學機械系 礦業大學 上海空間推進研究所 圣戈班研發(上海)有限公司 首都師范大學 有色院 中國科學院半導體研究所照明研發中心 中國科學院大學 中科院寧波材料所 |
| 技術團隊: | 儀器運行和管理人李展平高級工程師2005年被人才引進到清華大學分析中心,在國內外多年從事表面分析特別是TOF-SIMS的分析研究工作。 |
| 功能特色: | 基本功能: 可用以表面下范圍在2nm以內的最表層分析,能檢測出包括氫(H)在內的所有元素及其同位素,對所有元素具有極高的檢測靈敏度(ppm~ppb,因元素而異),可檢測痕量雜質,及微量摻雜對材料和器件性能的影響;能測定從表面到深至數十μm的微量元素及化合物濃度布;能觀測各種元素及化合物的1D、2D、3D分布,具有很高的空間分辨率(<100nm);能分析絕緣材料;能鑒定有機化合物分子,對有機材料結構分析有獨特的能力,適于分析大分子、超高分子量有機化合物,并能測定分子量;能取得單分子層表面結構信息。 應用領域: 適用于有機、無機、生物、醫學、電子、地質/考古、環境等各種領域的各種固體材料的分析。在有機納米材料和器件、有機/高分子材料微量添加劑、微電子材料、催化劑、摩擦化學、新藥創制、環境微顆粒微量成分、生物細胞分析等的研究開發中,它已成為必不可少的工具。 |
| 項目名稱 | 計價單位 | 費用類別 | 價格 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| TOF-SIMS測試分析費 | 元/小時 | 測試費 | 1500.0 | |
| 表面分析 | 元/小時 | 測試費 | 600.0 |
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