接收天線垂直極化時的測試頻譜圖可見，在148．34 MHz的頻率處，輻射下降了近4．5 dB，但是離限值線的余量較小。進一步檢查數碼相機中印制電路板的電路原理，發現控制芯片的電源采用磁珠與電容進行去耦，其中去耦電容C28大小為0．1 μF，如圖7所示。
圖7 USB接口部分電路原理圖
實際上0．1 μF的貼片電容并不能很好地為100 MHz以上頻率去耦，原因主要在于兩個方面：一是電容本身存在寄生電感；二是去耦電流回路上存在的電感。對于一個理想的電源來說，其阻抗為零，在平面任何一點的電位都是保持恒定的（等于系統供給電壓），然而實際的情況并不如此，而是存在很大的噪聲，甚至有可能影響系統的正常工作，去耦電容就是為了降低電源阻抗，保證器件附近的電源穩定在波動較小的范圍內。0．1 μF的陶瓷貼片電容的諧振點一般在十幾兆赫茲，也就是說，0．1 μF的陶瓷貼片電容，只能在十幾兆赫茲頻率附近使電源的阻抗保持在較低的水平，這個頻率離本案例中數碼相機的輻射超標的頻率點有一定的距離。
圖8給出了接口芯片電源采用0．1 μF去耦電容時，在頻率148．34 MHz點 上 輻 射 較 高 的 原 因。圖8 中 箭 頭 表 示148．34 MHz等 未 被0．1 μF電容很好地去耦的噪聲向電源傳輸，又由于在該頻率點上，電源阻抗較高，電源與地之間產生較高的壓降。這樣，相當于在電源與地之間形成了一個148．34 MHz的電壓源，又由于數碼相機是一個浮地系統，與地相連的電纜屏蔽層成了輻射的天線。
圖8 去耦不良形成輻射原理
查閱電容的頻率－阻抗特性，得知1000 pF左右的貼片電容，如果保證最短的引線電感（引線電感較長，會使該電容失效），由于1000 pF的電容的自諧振頻率是150 MHz附近，因此可以很好地對高頻的噪聲進行抑制，如圖9所示，相當于噪聲源被旁路，即噪聲源的電壓幅度降低，所示輻射騷擾自然也降低。
圖9 并聯1000 pF電容作用原理
按照原理分析，嘗試用1000 pF并聯在USB接口芯片的電源引腳上，即與0．1 μF去耦電容并聯。再進行測試，結果如圖10和圖11所示，測試通過，證實了分析的正確性。
圖10 并聯1000 pF去耦電容后輻射騷擾測試接收天線水平極化時的測試頻譜圖
圖11并聯1000 pF去耦電容后輻射騷擾測試接收天線垂直極化時的測試頻譜圖
三、處理措施
（1）改變屏蔽電纜屏蔽層與金屬連接器的連接方式，取消原來的Pigtail，實現360°搭接。（2）為接口芯片的電源引腳增加1000 pF的電源去耦電容，并在PCB布局上靠近電源引腳放置。四、思考與啟示（1）屏蔽電纜的屏蔽層與連接器的連接很重要，一定要保證360°搭接。（2）電源去耦電容的選擇要考慮被去耦器件的工作頻率及其產生的諧波，不要什么器件都用0．1 μF的電容，一般器件的工作主頻20 MHz以下的建議用0．1 μF的去耦電容，20 MHz以上的器件用0．01 μF的去耦電容，也可以嘗試采用大小并聯電容的組合去耦方式，如0．1 μF電容與1000 pF的電容并聯，以取得較寬頻帶的去耦效果，但是還是要注意大小電容容值相差100倍以上。（3）電源去耦對降低電源阻抗、降低電源噪聲和地噪聲有很大的幫助，由此對輻射騷擾抑制也有很大的幫助，特別是接口電路電源去耦，因為接口電路附近的電纜就是輻射的天線。（4）對于浮地設備，電源的去耦、電源和地的完整性對EMC來說顯得更加重要。