4.16 DLD2(單位：歐姆)
不同激勵電平下的負載諧振電阻的最大值與最小值之間的差值。(如：從0.1uw~200uw，總共20步)。
4.17 RLD2(單位：歐姆)
不同激勵電平下的負載諧振電阻的平均值《與諧振電阻Rr的值比較接近，但要大一些》。(如：從0.1uw~200uw，總共20步)。
4.18 寄生響應
所有晶體元件除了主響應(需要的頻率)之外，還有其它的頻率響應。減弱寄生響應的辦法是改變晶片的幾何尺寸、電極，以及晶片加工工藝，但是同時會改變晶體的動、靜態參數。
寄生響應的測量
1) SPDB 用DB表示Fr的幅度與最大寄生幅度的差值;
2) SPUR 在最大寄生處的電阻;
3) SPFR 最小電阻寄生與諧振頻率的距離，用Hz或ppm表示。
5. 晶體振蕩器的分類
5.1 Package石英振蕩器(SPXO)
不施以溫度控制及溫度補償的石英振蕩器。頻率溫度特性依靠石英振蕩晶體本身的穩定性。
5.2 溫度補償石英振蕩器(TCXO)
附加溫度補償回路，減少其頻率因周圍溫度變動而變化之石英振蕩器。
5.3 電壓控制石英振蕩器(VCXO)
控制外來的電壓，使輸出頻率能夠變化或調變的石英振蕩器。
5.4 恒溫槽式石英振蕩器(OCXO)
以恒溫槽保持石英振蕩器或石英振蕩晶體在一定溫度，控制其輸出頻率在周圍溫度下也能保持極小變化量之石英振蕩器。
除了以上四種振蕩器外，隨著PLL、Digital、Memory技術的應用，其他功能的多元化石英振蕩器也快速增加。