透射電鏡基本構造與光學顯微鏡相似,主要由光源、物鏡和投影鏡三部分組成,只不過用電子束代替光束,用磁透鏡代替玻璃透鏡。光源由電子槍和一或兩個聚光鏡組成,其作用是得到具有確定能量的高亮度的聚焦電子束。
透鏡的成像作用可以分為兩個過程:第一個過程是平行電子束遭到物的散射作用而分裂成為各級衍射譜,即由物變換到衍射的過程;第二個過程是各級衍射譜經過干涉重新在像平面上會聚成諸像點,即由衍射重新變換到物(像是放大了的物)的過程。晶體對于電子束就是一個三維光柵。
透射電鏡(圖片來源于網絡)
影響TEM的三要素:分辨率,放大倍數,襯度
1、分辨率
大孔徑角的磁透鏡,100KV時,分辨率可達0.005nm。實際TEM只能達到0.1-0.2nm,這是由于透鏡的固有像差造成的。提高加速電壓可以提高分辨率。已有300KV以上的商品高壓(或超高壓)電鏡,高壓不僅提高了分辨率,而且允許樣品有較大的厚度,推遲了樣品受電子束損傷的時間,因而對高分子的研究很有用。但高加速電壓意味著大的物鏡,500KV時物鏡直徑45-50cm。對高分子材料的研究所適合的加速電壓,最好在250KV左右。
2、放大倍數
電鏡最大的放大倍數等于肉眼分辨率(約0.2mm)除以電鏡的分辨率0.2nm,因而在106數量級以上。
3、襯度
a.樣品越厚,圖像越暗;
b.原于序數越大,圖像越暗;
c.密度越大,圖像越暗;
其中,密度的影響最重要,因為高分子的組成中原于序數差別不大,所以樣品排列緊密程度的差別是其反差的主要來源。
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