• <option id="immmk"></option>
  • <noscript id="immmk"><kbd id="immmk"></kbd></noscript>

      BiFeO3(BFO)作為室溫單相多鐵性材料,不但具有優越的鐵電特性,同時由于電、磁、應變之間的耦合作用,可以實現用電場控制磁化,是研究新型多態磁電存儲器的首選材料。最近有文獻報道了在BFO單晶中又觀察到了與鐵電極化相關的可反轉的二極管整流特性。這種受鐵電極化調控的導電行為,不但增加了多鐵性BFO材料的多功能特性,也更加豐富了BFO的物理內涵,除了鐵電、鐵磁和鐵彈三個序參量之間的耦合,電輸運特性與三個參量之間也存在相互作用。

      中科院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室(籌)光物理實驗室金奎娟研究組,在氧化物薄膜的激光法制備和物理研究方面取得了豐碩的成果。最近,王燦副研究員、金奎娟研究員、呂惠賓研究員及楊國楨院士等人利用激光分子束外延設備,成功地制備了具有優越鐵電性的BFO外延薄膜,并首次在BFO外延薄膜中觀察到了可反轉二極管特性和相應的電致電阻效應。研究表明,BFO外延薄膜的可反轉二極管特性與鐵電極化相關,二極管的正向導電方向受鐵電極化的方向控制,因此二極管的極性隨著鐵電極化的反轉而發生反轉。他們分析了BFO外延薄膜與氧缺位相關的半導體特性,提出了受鐵電極化調制的肖特基勢壘模型,闡述了相關物理現象的產生和機制。該研究發表在Appl. Phys. Lett. 98, 192901 (2011).

      同時,他們與復旦大學等單位合作,系統地研究了BFO外延薄膜的阻變特性與鐵電極化的關系,獲得了電阻轉變受鐵電極化控制的實驗證據,為設計和開發新型高密度鐵電電阻存儲器提供了材料和物理基礎。由鐵電極化控制的電阻轉變現象被稱為鐵電電致電阻,與普通電致電阻的產生機制不同。普通電致電阻行為多數被認為是由于與缺陷相關的導電通道的形成和斷開引起,是缺陷控制的非穩態行為;而鐵電電致電阻是受鐵電極化的兩個穩態控制的,具有更好的穩定性,所以鐵電電阻存儲可以克服普通電阻存儲面臨的穩定性問題。此外,傳統的鐵電存儲器是利用鐵電極化的兩個方向表示二進制數據的,極化反轉的速度很快,但是讀取極化電荷的電壓必須要高于驕頑電壓,是破壞性讀出,需要相應的恢復電路;而利用鐵電電阻效應,可以通過電阻大小實現極化方向的讀出,是小電壓非破壞性讀出,不需要恢復電路,可以降低能耗并獲得更高的存儲密度。相關工作發表在Adv. Mater. 23, 1277 (2011).

      新型鐵電電阻存儲不但可以克服電阻存儲器的穩定性問題,并且保留了電阻存儲的高密度特性、以及鐵電存儲的高速讀寫特性。相關研究為高速高容量鐵電存儲器的設計開辟了新的途徑,這意味著在數字信息存儲領域,有望誕生讀寫速度更快、體積更小、能耗更低、可靠性更強的新型非揮發存儲器,可以替代市場上的多種存儲器,具有極大的應用潛力和商業前景。

      相關工作得到了國家自然科學基金,科技部973等項目的支持。

      

      圖1. 電流電壓(IV)關系曲線與鐵電電滯回線。(a) BFO外延薄膜的IV曲線,顯著的回線特征表示BFO薄膜具有電致電阻特性,圖中數字表示IV測量順序。(b) IV回線隨測量電壓增加逐漸增大。(c) BFO外延薄膜的鐵電極化回線。

      

      圖2. 可反轉二極管特性與機制分析。(a)(b)(c)分別表示BFO外延薄膜初始態、向上極化、向下極化三個狀態的導電特性。外加脈沖電壓極化后,薄膜的IV特性呈現二極管整流效應,二極管導電極性方向可隨脈沖電壓極性即鐵電極化方向變化而發生改變。(a')(b')(c') 分別對應BFO薄膜不同極化狀態下的能帶示意圖,表示受鐵電極化調制的Shottky勢是導致可反轉二極管特性的主要機制。

      

      圖3. BFO外延薄膜的電阻依賴鐵電極化變化的證據。(a) 不同脈沖電壓下測量的剩余極化強度(脈沖電壓幅度從-20V到20V,再到-20V);(b)施加不同幅度脈沖電壓后,在4V測量的電流密度,表示BFO的電阻改變對應著鐵電極化強度的變化。(c)BFO外延薄膜的壓電力顯微圖(PFM),實現局部微區的不同極化狀態; (d)導電原子力顯微圖片(Conductive AFM),表示BFO薄膜微區的電阻隨極化狀態的不同而改變。

    相關文章

    納米限制結構相變存儲器成功開發

    近日,中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究團隊基于12英寸集成工藝,開發出納米限制結構相變存儲器。該團隊通過優化器件集成工藝,在12英寸晶圓上制備出嵌入式納米加熱電極,實現了超過1.0×1011次......

    有機螺環基團有機發光二極管材料與器件研究取得進展

    面向超高清顯示(UHD)技術的核心需求,紅、綠、藍窄譜帶發光材料的研發逐漸成為有機發光二極管(OLED)領域的研究熱點。傳統熒光材料由于局部激發態(1LE)的展寬效應,其半峰寬(FWHM)通常大于40......

    中國科學技術大學:實現毫秒級可集成量子存儲器

    中國科學院院士、中國科學技術大學教授郭光燦團隊在可集成量子存儲領域取得進展。該團隊李傳鋒、周宗權研究組基于團隊原創的無噪聲光子回波(NLPE)方案,將可集成量子存儲器的存儲時間從10微秒級提升至毫秒級......

    太字節數據“塞進”毫米級存儲器

    美國芝加哥大學研究人員開發出一種創新性的存儲技術,利用晶體內的單原子缺陷來表示數據存儲中的二進制數“1”和“0”,將幾個太字節(TB)的數據存儲在邊長僅為1毫米大小的晶體立方體中。相關論文發表在最新一......

    我國學者在高效穩定有機藍光二極管研究中取得進展

    圖(a)全氘代TADF分子的化學結構;(b)全氘代與非氘代分子勢能面及光物理過程示意圖;(c)振動模式對振動零點能的貢獻;(d)具有輔助受體的分子設計策略及對應的化學結構;(e)負極化子態下的鍵解離示......

    國內首套大流量紫外發光二極管消毒設備成功研發應用

    近日,泉州水務集團與泉州數字經濟產業園企業優煒芯科技攜手成功研發并落地國內首套大流量紫外發光二極管(UV-CLED)二次供水泵房專用紫外線消毒器,打破了使用傳統汞燈殺菌在二次供水領域的應用。這是一項二......

    科學家創制出無疲勞鐵電材料?有望實現存儲器無限次數擦寫

    6月7日,中國科學院寧波材料技術與工程研究所柔性磁電功能材料與器件團隊聯合電子科技大學、復旦大學,在《科學》(Science)上發表了題為Developingfatigue-resistantferr......

    新突破我國科學家研發新型通用晶體生長技術

    記者日前從華東理工大學了解到,該校清潔能源材料與器件團隊自主研發了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術,將晶體生長周期由7天縮短至1.5天,實現了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導體的低溫、快速、可控制備,為新一......

    韓企加速搶占高帶寬存儲器市場

    當地時間3月18日至21日,在美國圣何塞舉行的英偉達年度開發者會議“GTC 2024”上,韓國半導體企業全面展示了第五代HBM(高帶寬存儲器)產品,瞄準人工智能(AI)半導體用內存市場展開激......

    中國科大構筑出暖白光發光二極管器件

    近日,中國科學技術大學姚宏斌課題組基于新型銅碘雜化團簇,構筑出低成本、高效率、高亮度暖白光發光二極管(LED)器件。得益于所設計的銅碘雜化團簇具備的高構型熵、高發光效率和寬光譜發射等特性,研究實現了高......

  • <option id="immmk"></option>
  • <noscript id="immmk"><kbd id="immmk"></kbd></noscript>
    伊人久久大香线蕉综合影院首页