圖15． 在－40度時，1M循環后寫入誤碼率小于1 ppm。
圖16． 熱穩定性勢壘Eb控制著數據保持能力的溫度敏感度，在150℃（1ppm）下數據保留超過10年。
在基于自旋的STT－MRAM的許多應用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積0．3mm厚的磁屏蔽層，如圖16所示，實驗表明在移動設備的商用無線充電器的磁場強度為3500Oe的情況下，暴露100小時的誤碼率可以從＞ 1E6 ppm降低到？1ppm。另外，在650 Oe的磁場下，在125°C下的數據保存時間超過10年。
圖17．對3500 Oe磁場的靈敏度降低了1E6倍。
結論
22nm ULL 32Mb高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數據保留能力和耐久性，適用于廣泛的應用。單元面積僅為0．0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0．8mA ／ MHz ／ b，在低功耗待機模式（LPSB）下，其在25C時的泄漏電流小于55mA，相當于每比特的漏電流僅為1．7 E－12 A。對于32Mb數據，它具有100K個循環的耐久性，而對于1Mb的數據可以＞ 1M個循環。它在260°C的IR回流下具有90秒的數據保留能力，在150°C的條件下可保存數據10年以上。產品規格如圖18所示，裸片照片如圖19所示。
圖18． 22nm MRAM規格匯總表。
圖19． 22nm CMOS工藝中的32Mb高密度MRAM裸片圖。
編者注：圖1TEM切片也是模糊的夠可以的，有種動作片里打了馬賽克的感覺。不過看切片一直都給人一種給少女脫衣服的快感。圖1TEM中MRAM位置結構，好像其示意圖并不對應。MTJ下方應該還有一個Bottom Via ，然后上方是一個比較厚的上電極再接一個Top via或者M4（如下圖所示），而不是像示意圖中所描繪的那樣。
