使入射電子束在樣品表面沿選定的直線掃描，譜儀固定接收某一元素的特征X射線信號，其強度在這一直線上的變化曲線可以反映被測元素在此直線上的濃度分布，線分析法較適合于分析各類界面附近的成分分布和元素擴散。
實驗時，首先在樣品上選定的區域拍照一張背散射電子像(或二次電子像)，再把線分析的位置和線分析結果照在同一張底片上，也可將線分析結果照在另一張底片上，合金的背散射電子像，被選定的直線通過胞狀a-A1晶粒，X射線信號強度在此直線上的變化曲線。在較高的X射線強度所對應的位置是富Cu的A12Cu相；在a-A1晶粒內部X射線的強度較低，說明其固溶的Cu含量較少；在胞狀ct-A1晶粒界面內側存在一個約10m寬的Cu貧化帶。